L2N7002LT1 Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 说明书(1) 2N7002LT1 是LESHAN RADIO公司生产的N通道SOT-23封装的MOSFET, 其最大漏源电压为60V, 最大漏源电流为115mA, 最大栅源电压为40V, 最大总耗散功率为225mW。
FAIRCHILD FDZ661PZ P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench? Thin WL-CSP MOSFET 说明书 FDZ661PZ是Fairchild生产的一款P通道1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET，其特点是最大rDS(on)为140 mΩ，占用PCB面积小，封装高度低，ESD保护等级高。
FAIRCHILD FDZ663P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench? Thin WL-CSP MOSFET 说明书 FDZ663P P-Channel 1.5 V Specified PowerTrench® Thin WL-CSP MOSFET，该产品的最大电阻率为134 mΩ，占据 PCB 面积为0.64 mm2，封装高度小于0.4 mm，是一款低功耗、小型化、高性能的 MOSFET。
FAIRCHILD FQA160N08 80V N-Channel MOSFET 说明书 FQA160N08是Fairchild Semiconductor International生产的一款80V N通道MOSFET。它具有低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值。
FAIRCHILD FQA170N06 60V N-Channel MOSFET 说明书 该文件是关于FQA170N06的datasheet，该产品是一款N-Channel enhancement mode power field effect transistors，具有低gate charge, low Crss, fast switching, 100% avalanche tested, improved dv/dt capability, 175°C maximum junction temperature rating等特点。
16-, 14-, & 12-bit Self-calibrating A/D Converters CS5012A CS5014 CS5016 说明书 CS5012A/14/16是12位、14位和16位的模拟数字转换器，具有7.2微秒、14.25微秒和16.25微秒的转换时间。独特的自校准电路确保了优异的线性度和差分非线性度，并且没有缺失码。偏移和满量程误差保持在1/2 LSB（CS5012A/14）和1 LSB（CS5016）以内，无需校准。单极性和双极性输入范围可通过数字选择。CS5012A/14/16具有DAC、转换和校准微控制器、振荡器、比较器、与微处理器兼容的三态I/O和校准电路。采样架构内置的输入跟踪保持电路在每次转换后使用快速摆动的片上缓冲放大器获取输入信号。这允许达到100 kSps（CS5012A）、56 kSps（CS5014）和50 kSps（CS5016）的吞吐量。
FAIRCHILD FQA19N60 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQA19N60是Fairchild生产的一款N通道增强型功率场效应晶体管，它采用了Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有超低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率的开关电源。
FAIRCHILD FQA24N60 600V N-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了Fairchild公司生产的FQA24N60 600V N沟道MOSFET产品的特点和特性，包括低通态电阻、优越的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。该产品非常适用于高效率的开关电源。
Crysta CS5101A CS5102A 16-Bit, 100 kHz / 20 kHz A/D Converters 说明书 该文件介绍了Cirrus Logic, Inc.的CS5101A和CS5102A两款16位、100 kHz / 20 kHz A/D转换器的特点。这些转换器具有超低失真、快速转换时间、线性误差小、自校准等特性，适用于电池供电操作。
FAIRCHILD FQA36P15 150V P-Channel MOSFET 说明书 FQA36P15 / FQA36P15_F109 150V P-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的高效、快速开关的P通道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，在提高开关速度、降低导通电阻和承受高能脉冲的同时，还能提高dv/dt能力。
FAIRCHILD FQA46N15 / FQA46N15_F109 数据手册 FQA46N15是Fairchild推出的一款150V N通道MOSFET，其特点是RDS(on)=0.042Ω@VGS=10V、低栅极电荷(典型值为85 nC)、低Crss(典型值为100pF)、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值
FAIRCHILD FQA62N25C 数据手册 FQA62N25C是Fairchild公司生产的250V N沟道MOSFET，其特点是RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V，低门极电荷，低Crss，快速开关，100%的雪崩测试，改进的dv/dt能力。
HIGHlite 4100gv/400sx/5100gv/6000sx 数码投影仪 用户手册 这份文件是高亮度数字视频投影仪的用户手册，包括产品型号4100gv、5100gv、4000sx和6000sx
FAIRCHILD FQA65N20 数据手册 这份文件介绍了Fairchild公司生产的FQA65N20 QFET TM FQA65N20 200V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能和高能量脉冲下的可靠性。该产品适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、无间断电源的DC-AC转换器和电机控制。
FAIRCHILD FQA6N90C_F109 数据手册 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQA6N90C_F109 900V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括6A的电流、900V的电压、低的门电荷和Crss、快速开关、100%的avalanche测试和改进的dv/dt能力。
Cherry Semiconductor CS5106 数据手册 CS5106是一款固定频率、电流模式控制器，配有一个单NFET驱动器和一个双FET同步驱动器。同步驱动器可提高主隔离功率级的效率，单驱动器可让设计人员为控制器电源以及次级侧管理系统开发辅助电源。此外，由于同步驱动器具有可编程FET非重叠特性，因此CS5106是软开关变换器拓扑的理想控制器。CS5106专为隔离拓扑而设计，其中主开关和辅助开关在不同的时钟周期上工作。
