FAIRCHILD FQD6N40C / FQU6N40C 400V N-Channel MOSFET 数据手册 该文档介绍了FQD6N40C / FQU6N40C 400V N-Channel MOSFET的特点特性，包括低开关电阻、快速开关性能、高能量脉冲耐受能力等。适用于高效率开关电源和半桥拓扑的电子灯电子镇流器。
FAIRCHILD FQD5N60C / FQU5N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 FQD5N60C / FQU5N60C 600V N-Channel MOSFET是飞兆半导体的一种N型增强型功率场效应晶体管，采用飞兆半导体专有的平面条纹、DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和抗高能脉冲的能力。该器件适用于高效率的开关电源、有源功率因数校正、半桥拓扑电子灯泡镇流器。
APLUS ASM0906CB 数据手册 ASM0906CB是一款低成本的语音合成器，内置4位ALU、ROM、RAM、I/O端口、定时器、时钟发生器、看门狗定时器(WDT)、语音合成器等功能，由22条指令组成，采用CMOS技术和停止功能，可最大限度地降低功耗。其体系结构类似于RISC，具有两个阶段的指令管道，除了程序分支和数据表读取指令(需要两个指令周期)，所有指令都可以在单个周期内执行。
FAIRCHILD FQD3N60C/FQU3N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 QD3N60C/FQU3N60C N沟道增强型MOSFET，额定电压600V，额定电流2.4A，开关特性好，无需外部电阻，适用于开关电源、电子灯调光等场合。
FAIRCHILD FQD30N06/FQU30N06 说明书 FQU30N06 N-Channel MOSFET是Fairchild公司生产的一种功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术。该技术具有极低的导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力，非常适合用于低压应用，例如汽车、DC/DC转换器和便携式和电池供电产品中高效的电源管理。
FAIRCHILD FQD2N60C / FQU2N60C 说明书 这是一份产品手册，介绍了FQD2N60C/FQU2N60C的特性，包括RDS(on) = 4.7Ω @VGS = 10 V、低门极电荷（典型值为8.5 nC）、低Crss（典型值为4.3 pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt功能等。
FAIRCHILD FQD20N06/FQU20N06 说明书 FQD20N06 / FQU20N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild公司的一种高性能功率场效应晶体管，具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力等特点，适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用
FAIRCHILD FQP17P06 说明书 FQP17P06 是一款具有 60V 耐压能力的 P 沟道 MOSFET，采用 Fairchild 专有的平面条纹 DMOS 技术，具有低导通电阻、快速开关和高能脉冲承受能力的特点，非常适合汽车、DC/DC 转换器等低压应用
FAIRCHILD FQP20N06 说明书 这份文档介绍了FQP20N06型号的60V N-通道MOSFET，该产品采用了Fairchild的专有DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力的特点。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器和便携式电池操作产品的高效开关电源管理。
FAIRCHILD FQP20N06L 说明书 这份文件介绍了FQP20N06L型号的60V逻辑N沟道MOSFET产品。该产品采用Fairchild公司的专有技术制造，具有低通态电阻、优异的开关性能和高能脉冲下的耐久性。适用于低电压应用，如汽车、DC/DC转换器以及便携和电池操作产品的高效开关电源管理。
FAIRCHILD FQP27P06 60V P-Channel MOSFET 说明书 这份文件介绍了FQP27P06型号的60V P-Channel MOSFET产品的特点和特性，采用了Fairchild公司的DMOS技术，具有低电阻、快速开关和高能量脉冲耐受能力等特点，适用于低压应用领域。
FAIRCHILD FQP2N60C/FQPF2N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书 FQP2N60C/FQPF2N60C是Fairchild生产的2.0A,600V N-Channel MOSFET。具有低RDS(on)、低门控电荷和低Crss等特点，适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP30N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQP30N06L是Fairchild生产的一款60V逻辑N沟道MOSFET。该产品具有32A、60V、RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V、低门极电荷（典型值为15 nC）、低Crss（典型值为50 pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值。
FAIRCHILD FQP3N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了FQP3N60C型号的600V N沟道MOSFET的特点和特性，包括3A的电流、低门电荷、快速开关、100%的雪崩测试等。
FAIRCHILD FQP46N15 150V N-Channel MOSFET 说明书 QFET QFET QFET QFET是飞利浦公司生产的一款高性能功率器件，采用先进的制程技术，具有高耐压、高电流、低功耗等特性，广泛应用于工业、汽车、消费电子等领域。
FAIRCHILD FQP47P06 60V P-Channel MOSFET 说明书 FQP47P06是Fairchild生产的60V P通道MOSFET，具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快开关、100%放电测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值等特点。
