ON NUP4201MR6 Low Capacitance TSOP-6 Diode-TVS Array for High Speed Data Lines Protection 数据手册 NUP4201MR6是一款低压、低功耗的TVS管，可应用于高压脉冲抑制。它具有3pF的低寄生电容，可满足高频通信线路上的信号完整性要求。NUP4201MR6还通过了IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4、IEC 61000-4-5等国际标准的认证。
FAIRCHILD FDS8960C 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的双N和P沟道增强型功率场效应晶体管，采用了先进的PowerTrench工艺，旨在最小化静态电阻并保持卓越的开关性能。这些器件非常适用于低压和电池供电应用，需要低线损耗和快速开关速度。
ON NUP4301MR6T1 Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in Four Data Lines 数据手册 NUP4301MR6T1是一款低电容二极管阵列，用于四条数据线的ESD保护。它被设计用于保护敏感组件免受可能的有害电气瞬变的影响，例如ESD(静电放电)。
ON NUP4302MR6 Schottky Diode Array for Four Data Line ESD Protection 数据手册 该产品是一款肖特基二极管阵列，主要应用于高速数据线接口的ESD保护。产品具有低压降、快速开关、PN结保护环等特点。
FAIRCHILD FDS89161LZ 说明书 FDS89161LZ是Fairchild Semiconductor生产的一款双N通道PowerTrench®MOSFET，具有极低的导通电阻（rDS(on)），可用于DC-DC转换电路。
FAIRCHILD FDS89161 说明书 FDS89161是Fairchild Semiconductor生产的一种双N通道PowerTrench®MOSFET，具有极低的RDS(on)、高功率和电流处理能力，适用于同步整流器和桥式拓扑中的主开关。
FAIRCHILD FDS8896 说明书 FDS8896 N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 15A, 6.0mΩ 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款低阻抗 MOSFET，适用于 DC/DC 转换器。
FAIRCHILD FDS9926A Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS9926A是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道2.5V指定MOSFET。它具有6.5A，20V的额定电流和电压，适用于电池保护、负载开关和电源管理等应用。
FAIRCHILD FDS9945 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS9945 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款N通道逻辑级MOSFET，该MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，适用于同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器设计。
FAIRCHILD FDT3612 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDT3612是一款100V N通道MOSFET，采用高性能沟槽技术，具有非常低的RDS（ON），因此具有快速的开关速度和低的门控电荷。它非常适合用于DC/DC转换器和电机驱动等应用。
FAIRCHILD FDT86102LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDT86102LZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大rDS(on)为28 mΩ，最大HBM ESD保护电压为6 kV，具有非常低的Qg和Qgd，开关速度快，并通过了100% UIL测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDT86106LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDT86106LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道逻辑级MOSFET，采用了该公司的先进Power Trench®工艺，可将导通电阻降至最低，同时仍能保持卓越的开关性能。该器件具有3.2 A的连续电流和100 V的漏源电压，非常适用于DC-DC转换等应用。
FAIRCHILD FDT86113LZ N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDT86113LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、高性能的槽道技术、高功率和电流处理能力，以及ESD保护等级等。
FAIRCHILD FDT86244 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDT86244 N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款高性能MOSFET，具有极低的rDS(on)，高功率和电流处理能力，可广泛应用于负载开关和主开关等领域。
FAIRCHILD FDT86246 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDT86246 N-Channel Power Trench® MOSFET是一种高性能、低阻抗、高功率和高电流处理能力的N沟道MOSFET。它采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺，该工艺经过优化，可实现极低的rDS(on)、快速的开关速度和坚固性。
FAIRCHILD FDT86256 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDT86256 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的MOSFET产品，它具有低rDS(on)、快开关速度、RoHS兼容等特点。适用于DC-DC转换、逆变器、同步整流器等应用场合。
ON MC34063A, MC33063A, NCV33063A 1.5 A, Step−Up/Down/ Inverting Switching Regulators 数据手册 MC34063A/D MC34063A, MC33063A, NCV33063A 1.5 A, Step−Up/Down/ Inverting Switching Regulators 是用于DC−to−DC converters的集成电路。该系列专为采用最少的外部元件实现Step−Down和Step−Up和Voltage−Inverting应用而设计。
