FAIRCHILD FQP5N60C/FQPF5N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了FQP5N60C/FQPF5N60C型号的600V N-Channel MOSFET的特点和特性。这些器件采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于高效率开关电源、有源功率因数校正和基于半桥拓扑的电子灯镇流器等应用。
FAIRCHILD FQP65N06 60V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP65N06 60V N-Channel MOSFET，是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道增强型功率场效应晶体管。该产品采用Fairchild的专有平面条带DMOS技术，具有低导通电阻、高性能开关和高能脉冲承受能力。该产品适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用，以及便携式和电池供电产品中的功率管理应用。
FAIRCHILD FQP6N40C/FQPF6N40C 400V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP6N40C/FQPF6N40C是Fairchild Semiconductor Corporation生产的400V N沟道MOSFET，采用Fairchild独有的平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关电源、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQP6N40CF 400V N-Channel MOSFET 数据手册 该数据表格介绍了FQP6N40CF/FQPF6N40CF 400V N-Channel MOSFET的特性,包括额定电压、最大电流、门极电压、开关速度等。
FAIRCHILD FQP6N80C/FQPF6N80C 800V N-Channel MOSFET 数据手册 本文档介绍了FQP6N80C/FQPF6N80C这款800V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低开态电阻、优越的开关性能、高能量脉冲下的耐受能力等。该产品适用于高效开关电源。
FAIRCHILD FQP6N90C/FQPF6N90C 900V N-Channel MOSFET 数据手册 FQP6N90C/FQPF6N90C是Fairchild生产的900V N通道MOSFET，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。
FAIRCHILD FQP7P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册 FQP7P06是Fairchild生产的P型MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低门极电荷和高dv/dt能力。
FAIRCHILD FQD20N06L/FQU20N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 该文档介绍了2009年3月发布的QFET TM FQD20N06L / FQU20N06L产品的特点和特性。这些N-通道增强型功率场效应晶体管采用了Fairchild的专有平面条纹DMOS技术生产。该技术经过特殊设计，以减小导通电阻、提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。该产品非常适用于低电压应用，如汽车、DC/ DC转换器以及便携和电池操作产品的高效开关功率管理。
FAIRCHILD FQT1N60C N-Channel MOSFET 数据手册 该数据表提供了 FQT1N60C N-Channel MOSFET 的特性和参数。该产品由 Fairchild 生产，是 600V、0.2A 的 N 通道增强型功率场效应晶体管。该产品具有 9.3 欧姆的低 on 状态电阻、4.8n 的低栅极电荷和 3.5pF 的低 Crss。它还具有快速开关、100% 的放电测试和改进的 dv/dt 能力。该产品符合 RoHS 标准，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FQT13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQT13N06L是Fairchild生产的60V逻辑N通道MOSFET，具有低门控电荷、低反向电容、高开关速度、增强的dv/dt能力等特点。
APLUS ASM1506C 数据手册 ASM1506C是APLUS公司生产的一款非常低成本的语音合成器，具有4位ALU、ROM、RAM、I/O端口、定时器、时钟发生器、看门狗定时器(WDT)、语音合成器等各种功能。该器件包含22条指令。CMOS技术和停止功能可最大限度地降低功耗。其体系结构类似于RISC，具有两个阶段的流水线指令。除了程序分支和数据表读取指令（需要两个指令周期）之外，它允许所有指令在一个周期内执行。
FAIRCHILD FQT13N06 60V N-Channel MOSFET 数据手册 FQT13N06 60V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道增强型功率场效晶体管。这款设备采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，非常适用于低电压应用，如DC/DC转换器和便携式和电池供电产品中的高效电源管理开关。
FAIRCHILD FQP8N60C/FQPF8N60C 说明书 FQP8N60C/FQPF8N60C是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和抗高能脉冲的能力。该器件适用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQPF85N06 说明书 FQPF85N06是Fairchild生产的一款60V N-Channel MOSFET。它具有53A的最大电流输出，0.010Ω的开关电阻，86 nC的栅极电容和165 pF的寄生电容，适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器和便携式和电池供电产品的功率管理中的高效率开关。
FAIRCHILD FQP7N65C/FQPF7N65C 说明书 FQP7N65C/FQPF7N65C是美国Fairchild公司生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，采用独有的平面条纹DMOS技术。该技术经过优化，可最大限度地降低导通电阻、提供卓越的开关性能，并且能够承受雪崩和换流模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑结构的电子灯泡镇流器。
FAIRCHILD FQPF7N60 说明书 本文介绍了一款Fairchild生产的N-通道增强型功率场效应晶体管，采用了Fairchild独有的平面条纹DMOS技术，具有低通态电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于高效开关模式电源。
