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更新: 30 September, 2023
该文件是关于FQA170N06的datasheet，该产品是一款N-Channel enhancement mode power field effect transistors，具有低gate charge, low Crss, fast switching, 100% avalanche tested, improved dv/dt capability, 175°C maximum junction temperature rating等特点。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 60B26C3D3383BA88DC5B2EE3A02671B2
发布时间: 12 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FQA170N06 60V N-Channel MOSFET 说明书 PDF