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Microsemi LAWRENCE 2N7369 数据手册

该文件介绍了一种PNP高功率硅晶体管，符合MIL-PRF-19500/621标准，具有80V的集电极-发射极电压，80V的集电极-基极电压，7.0V的发射极-基极电压，4.0A的基极电流，10A的集电极电流，115W的最大功率耗散等特性。

Cherry Semiconductor CS5124/6 数据手册

该文档是一款CS5124/6型号的DC-DC转换器的数据手册，介绍了该型号的功能特性、应用电路、引脚定义等信息

CRYSTAL CS5126 数据手册

本文件是关于Cirrus Logic CS5126 16位立体声A/D转换器的特点特性的介绍

DIGITAL SHOWlite 6000gv/5000SX User Manual

本文件为SHOWlite 6000gv/5000sx+ LCD Projector 用户手册。该产品为大屏幕投影机，符合欧盟的89/336/EEC Electromagnetic Compatibility Directive和73/23/EEC Low Voltage Equipment Directive的保护要求。

FAIRCHILD FQD1N60C / FQU1N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书

该文件主要介绍了FQD1N60C / FQU1N60C 600V N-Channel MOSFET 的特性特点。

FAIRCHILD FQD17P06 说明书

FQD17P06 / FQU17P06是Fairchild生产的一种60V P通道MOSFET，具有优异的开关性能和低导通电阻。

FAIRCHILD FQD16N25C 250V N-Channel MOSFET 说明书

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FQD16N25C型250V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括16A的电流、0.27Ω的RDS(on)、低门电荷和低Crss、快速开关速度、100%的雪崩测试和改进的dv/dt能力。

FAIRCHILD FQD13N06L/FQU13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 说明书

这份文件介绍了FQD13N06L / FQU13N06L型号的60V逻辑N沟道MOSFET产品的特点和特性。这些产品采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术制造，具有低通态电阻、优异的开关性能和对电极和换流模式中的高能量脉冲的抗性。适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器以及便携和电池操作的产品的高效开关功率管理。

FAIRCHILD FQD13N06/FQU13N06 60V N-Channel MOSFET 说明书

该型号是Fairchild生产的N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的平面条带DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于DC/DC转换器、便携式和电池供电产品中的高效开关电源管理等应用。

Cherry Semiconductor CS5156 数据手册

CS5156是5位非同步N通道降压控制器，专为提供当今要求苛刻的高密度、高速度逻辑的空前瞬态响应而设计。该调节器使用专有的控制方法操作，这使得在负载瞬变时能实现100ns响应时间。CS5156设计用于在4.25-16V范围内运行（VCC），使用12V为IC供电，并将5V作为转换的主要电源。CS5156专为为Pentium®II处理器和其他高性能核心逻辑供电而设计。它具有以下功能：板载5位DAC、短路保护、1.0%输出容差、VCC监视器和可编程软启动功能。CS5156向后兼容4位CS5151，允许主板设计人员在无需修改布局的情况下使用CS5151或CS5156。CS5156有16针表面贴装和DIP封装可选。

FAIRCHILD FQD11P06/FQU11P06 60V P-Channel MOSFET 说明书

该产品是一款P通道增强型功率场效晶体管，具有低导通电阻、快速开关等特点。

FAIRCHILD FQB8N60C / FQI8N60C 600V N-Channel MOSFET 说明书

该数据表提供了FQB8N60C/FQI8N60C 600V N通道MOSFET的特性参数，包括额定电压、最大电流、开关速度、浪涌电流、门极电压等

FAIRCHILD FQB7N60/FQI7N60 600V N-Channel MOSFET 说明书

FQB7N60 / FQI7N60是一种N沟道增强型功率场效应晶体管，适用于高效率开关电源。其特点包括低通态电阻、快速开关速度、高能量脉冲和高耐压能力。

FAIRCHILD FQB6N80/FQI6N80 800V N-Channel MOSFET 说明书

这是一份PDF文件，介绍了Fairchild Semiconductor International生产的FQB6N80 / FQI6N80 800V N-Channel MOSFET的特性和特点。

FAIRCHILD FQB50N06L/FQI50N06L 数据手册

该文件介绍了FQB50N06L / FQI50N06L 60V逻辑N沟道MOSFET的特点和特性。这些器件适用于低压应用，如汽车、DC / DC转换器和便携式和电池操作产品的高效开关功率管理。

ON Semiconductor NTP18N06L, NTB18N06L 数据手册

NTP18N06L和NTB18N06L是美国半导体公司生产的N沟道MOSFET，最大电压60V，最大电流15A，典型应用场景包括电源、转换器、电动机控制和桥式电路。

FAIRCHILD FQB50N06/FQI50N06 60V N-Channel MOSFET 数据手册

FQB50N06 / FQI50N06 60V N-Channel MOSFET 是一款由Fairchild制造的低压开关器件，其特点是低导通电阻、优异的开关性能、在雪崩和换向模式下可承受高能脉冲。

FAIRCHILD FQB47P06/FQI47P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册

该文件介绍了Fairchild 60V P-Channel MOSFET的特性，包括低门极电荷（典型值为84 nC）、低Crss（典型值为320 pF）、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温等。

ON NTP27N06, NTB27N06 Power MOSFET 27 Amps, 60 Volts N–Channel TO–220 and D2PAK 数据手册

该数据表格介绍了NTP27N06的特性，包括电压、电流、功率等

ON CS5161 CS5161H 数据手册

CS5161/5161H是5位同步双N通道降压控制器，旨在为当今需求严苛的高密度、高速逻辑提供前所未有的瞬态响应。它们采用专有的控制方法，可在100 ns的时间内响应负载瞬变。CS5161设计用于在9-16 V范围（VCC）内运行，使用12 V来为IC供电，5.0 V作为转换的主要电源。CS5161H从12 V输入作为转换的主要电源，使用离散的电荷泵电路提供高达20 V的VCC2和高侧门极驱动。CS5161/5161H专门设计用于为Pentium III处理器和其他高性能核心逻辑供电。它们具有以下特点：内置5位DAC、短路保护、1.0%输出容差、VCC监控和可编程软启动功能。CS5161/5161H提供16引脚表面贴装封装。