cherry semiconductor CS5165 Fast, Precise 5-Bit Synchronous Buck Controller for the Next Generation Low Voltage Pentium II Processors 数据手册 CS5165 是一个 5 位同步降压控制器，具有快速瞬态响应和最佳整体电压调节，可管理下一代低压 Pentium II 处理器的电源。
ON NTP45N06, NTB45N06 Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts N–Channel TO–220 and D2PAK 数据手册 本文件为N-Channel TO-220和D2PAK的使用手册，介绍了该产品的特点特性，如更高的电流额定值、更低的RDS(on)、更低的VDS(on)、更低的电容、更低的总门极电荷、更严格的VSD规格、更低的二极管反向恢复时间和更低的反向恢复存储电荷等。
FAIRCHILD FQB30N06L/FQI30N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQB30N06L / FQI30N06L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的60V逻辑N沟道MOSFET。该器件具有32A、60V、RDS(on) = 0.035Ω @VGS = 10 V、低门控电荷（典型值为15 nC）、低Crss（典型值为50 pF）、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温额定值等特点。
cherry semiconductor CS5165H Fast, Precise 5-Bit Synchronous Buck Controller for the Next Generation Low Voltage Pentium II Processors 数据手册 CS5165H是英飞凌推出的一款5位同步降压控制器，它采用了V2™控制架构，具有100ns的最快瞬态响应和业内最佳的整体电压调节。它功能丰富的设计为最终用户提供了最大灵活性，以实现最佳的价格/性能解决方案。
FAIRCHILD FQB27P06/FQI27P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册 FQB27P06 / FQI27P06是Fairchild生产的60V P通道MOSFET，具有低门极电荷、低Crss、快速开关等特性，适用于低压应用，如汽车、DC/DC转换器、便携式和电池供电产品中的高效电源管理开关
cherry semiconductor CS5166 5-Bit Synchronous CPU Controller with Power-Good and Current Limit 数据手册 CS5166是德州仪器的一款同步双NFET降压调节器控制器，专为第2代奔腾处理器而设计。
cherry semiconductor CS5166H 5-Bit Synchronous CPU Controller with Power-Good and Current Limit 数据手册 CS5166H 是一款同步双 NFET 降压调节器控制器。它被设计用于为最新的高性能 CPU 的核心逻辑供电。它使用 V2TM 控制方法来实现最快的瞬态响应和最佳的总体调节。它集成了许多确保 CPU 和电源系统正确运行和保护所需的附加功能。CS5166H 提供了业界最高度集成的解决方案，最大限度地减少外部组件计数、总解决方案尺寸和成本。CS5166H 专为 Pentium® II 系统而设计，可使用 5V 和 12V 操作，并可选择单或双电源。
ON Semiconductor NTP60N06, NTB60N06 数据手册 NTP60N06/D 是一款60V，60A，N通道的功率MOSFET，适用于低压，高速度开关应用，如电源，转换器和电机控制和桥路电路。
ON CS5171, CS5172, CS5173, CS5174 1.5 A 280 kHz/560 kHz Boost Regulators 数据手册 该数据表提供了CS5171, CS5172, CS5173, CS5174 1.5 A 280 kHz/560 kHz Boost Regulators的特性参数
ON NTB65N02R, NTP65N02R Product Preview Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel TO-220, D2 PAK 数据手册 该数据表提供了NTB65N02R/D的最大额定值、引脚分配、功能特性等信息
FAIRCHILD FQB11P06/FQI11P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册 该文件提供了FQB11P06/FQI11P06 60V P-Channel MOSFET 的特性介绍，包括技术原理、应用场景、性能参数等。
ON NTP75N06, NTB75N06 Power MOSFET 75 Amps, 60 Volts, N−Channel TO−220 and D2 PAK 数据手册 该文件介绍了NTP75N06和NTB75N06功率MOSFET的特点和特性。它们适用于低电压、高速开关应用，如电源、变换器、电机控制和桥式电路。
FAIRCHILD FQP13N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQP13N06L是Fairchild Semiconductor Corporation生产的60V逻辑N型MOSFET，采用Fairchild独家平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关性能、抗高能脉冲能力，适用于汽车、DC/DC转换器等低压应用
FAIRCHILD FQN1N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 FQN1N60C是600V N通道MOSFET，具有0.3 A、600 V、RDS(on) = 11.5 Ω @ VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为4.8 nC）、低Crss（典型值为3.5 pF）、快速开关和100％雪崩测试等特点。
FQB5N60C / FQI5N60C 600V N-Channel MOSFET 数据手册 该文件介绍了FQB5N60C/FQI5N60C N通道MOSFET的特性，包括电压、电流、功率、开关速度等。
FAIRCHILD FQD7P06/FQU7P06 60V P-Channel MOSFET 数据手册 这份文档介绍了2001年5月发布的Fairchild Semiconductor Corporation的QFET TM FQD7P06 / FQU7P06 60V P-Channel MOSFET。这些产品采用了Fairchild的专有技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲下的耐受能力。适用于低压应用领域，如汽车、DC/DC转换器以及便携式和电池操作产品的高效率开关电源管理。
FAIRCHILD FQD6N50C / FQU6N50C 500V N-Channel MOSFET 数据手册 FQD6N50C / FQU6N50C 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款 500V N-Channel MOSFET，其特点是：4.5A、500V、RDS(on) = 1.2 Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型值为 19nC）、低 Crss（典型值为 15pF）、快速开关、100% 雪崩测试、改进的 dv/dt 能力。
