FAIRCHILD FDS4559 60V Complementary PowerTrench® MOSFET 说明书 FDS4559是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款MOSFET器件，采用PowerTrench工艺制造，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于DC/DC转换器、电源管理和LCD背光逆变器等应用。
FAIRCHILD FDS4465 说明书 FDS4465 P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET 是一款高性能的MOSFET器件，采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺，具有优异的低导通电阻(RDS(ON))，快速开关速度和高电流、功率处理能力。
FAIRCHILD FDS3692 说明书 FDS3692是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高压N通道MOSFET，其特点是低RDS(ON)、低Qg(tot)、低QRR、优秀的高频效率和UIS能力。该产品适用于DC/DC转换器、Off-Line UPS、分布式电源架构和VRM、24V和48V系统的主开关、高压同步整流器、直接喷射/柴油喷射系统、42V汽车负载控制和电子气门系统等场合。
FAIRCHILD FDS3672 说明书 FDS3672 是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的一款 100V、7.5A、22mΩ 的 N 沟道 PowerTrench® MOSFET。
FAIRCHILD FDS2670 说明书 这是一份关于FDS2670 200V N-Channel PowerTrench MOSFET的文档。该MOSFET采用高性能槽沟技术，具有低RDS(ON)、低门电荷、快速开关速度和高功率处理能力等特点。该产品专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，适用于同步或传统开关PWM控制器。通过使用这款MOSFET，可以实现更高的驱动安全性和效率。
TEMIC BUD600 说明书 该文件介绍了BUD600 TELEFUNKEN半导体的特点和特性，包括SWOT技术、高速技术、平面封装、低开关损耗、低动态饱和度等。适用于电子灯镇流器电路和开关模式电源等应用。
VISHAY BUD616A 说明书 该文件介绍了Vishay Telefunken公司的BUD616A硅NPN高压开关晶体管的特点和特性，包括简单的开关关断晶体管(SWOT)、高速技术、平面封装、100 kHz的开关频率、非常低的开关损耗、非常低的动态饱和度、非常低的工作温度、优化的可靠性限制区域(RBSOA)和高反向电压等。
VISHAY BUD630 说明书 BUD630是Vishay Telefunken生产的一款高压开关晶体管，其特点是具有简单的开关关断晶体管（SWOT）、高速度技术、平面钝化、100千赫开关率、非常低的开关损耗、非常低的动态饱和、非常低的操作温度、优化的RBSOA和高反向电压。
VISHAY BUD636A 说明书 BUD636A是Vishay Telefunken生产的高压开关晶体管，采用简单开关关断晶体管（SWOT）技术、高速度技术、平面钝化技术，具有100kHz的开关频率、非常低的开关损耗、非常低的动态饱和、非常低的操作温度、优化的RBSOA和高反向电压
ON Semiconductor NUF6406MN 数据手册 这是一份关于NUF6406MN低电容6线EMI滤波器带ESD保护的文档。该器件适用于无线应用，能在800MHz到2.4GHz频段内达到大于-30dB的衰减。它还提供了ESD保护，能够抑制静电放电产生的瞬态。该器件具有EMI滤波和ESD保护的功能，集成了30个离散元件，符合IEC61000-4-2（4级）>8.0kV（接触）标准，尺寸为1.35 x 3.0 mm的DFN封装，具有1级湿敏度，ESD等级为机器模型C和人体模型3B。
ON Semiconductor NZL5V6ATT1 数据手册 该文件介绍了一种双共阳稳压二极管，用于提供过电压保护能力。该产品适用于需要电压和ESD敏感设备的应用，如计算机、打印机、商业机器、通信系统、医疗设备等。其双结共阳设计可以保护四条独立线路，只使用一个封装。该产品适用于板载空间有限的情况。
ON NUP2201MR6 Low Capacitance TSOP-6 Diode-TVS Array for High Speed Data Lines Protection 数据手册 NUP2201MR6是一款低电容TSOP-6二极管TVS阵列，用于保护高速度数据线。
FAIRCHILD FDS8690 N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDS8690 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款N-Channel MOSFET，额定电压为30V，额定电流为14A，最大导通电阻为7.6mΩ。该MOSFET采用了高性能的沟槽技术，具有极低的导通电阻和快速的开关速度。它还具有极低的栅极电荷，高功率和电流处理能力，并且经过100%的RG测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDS86540 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS86540 N-Channel PowerTrench® MOSFET是FAIRCHILD的一种MOSFET，具有高性能沟槽技术，极低的rDS(on)，高功率和电流处理能力，广泛用于表面贴装封装。
FAIRCHILD FDS8638 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 FDS8638 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款高性能的N通道MOSFET，具有极低的导通电阻，最大漏源电压为40V，最大漏源电流为18A，最大开关损耗为2.5W。该器件采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺制造，具有高可靠性和低功耗特性，适用于同步整流器和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDS86252 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDS86252是一款N沟道功率沟槽MOSFET，具有最大55mΩ的漏源电阻和最大4.5A的漏极电流。采用高性能沟槽技术，具有极低的漏源电阻和高功率、大电流处理能力。广泛应用于直流-直流转换MOSFET。
