FAIRCHILD FDC658P 说明书 FDC658P是Fairchild Semiconductor生产的P通道逻辑级MOSFET，具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于笔记本电脑应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDC6561AN 说明书 这份文档介绍了1999年4月发布的FDC6561AN双N沟道逻辑电平PowerTrenchTM MOSFET。该产品具有2.5A、30V的电流和电压特性，采用了Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低门电荷，以实现卓越的开关性能。该产品适用于小尺寸设备，特别适用于电池供电系统中的低成本DC/DC转换。
FAIRCHILD FDC653N 说明书 FDC653N是Fairchild生产的N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild专有的高密度DMOS工艺，特别适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMICA卡和其他需要快速切换和低线损的极小型外形表面贴装封装的电池供电电路。
FAIRCHILD FDC6506P 说明书 FDC6506P是Fairchild Semiconductor生产的P通道逻辑级MOSFET，采用Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺生产，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于负载开关、电池保护和电源管理等应用场合。
FAIRCHILD FDC642P 说明书 FDC642P是一种单通道2.5V规定功率型MOSFET，具有快速开关速度、低门电荷和极低的导通电阻等特点。它采用了Fairchild的先进PowerTrench®工艺，以最小化导通电阻并保持低门电荷，实现卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDC6420C 说明书 FDC6420C是Fairchild Semiconductor生产的一款20V N & P-Channel MOSFET，采用先进的PowerTrench工艺制造，具有极低的RDS(ON)和优异的开关性能。该器件采用SuperSOT-6封装，具有72%更小的占用空间和1mm的厚度。
FAIRCHILD FDC640P 说明书 FDC640P是一款采用Fairchild先进PowerTrench工艺的坚固的2.5V P通道MOSFET。它经过优化，可在2.5V-12V的广泛栅极驱动电压范围内用于电源管理应用。
FAIRCHILD FDC6401N 说明书 这份文件介绍了FDC6401N型号的双N沟道MOSFET，该产品专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它具有低栅极电荷、低RDS（ON）和快速开关速度的优化设计。
FAIRCHILD FDC6392S 说明书 FDC6392S是Fairchild公司推出的一款20V集成P通道PowerTrench MOSFET和Schottky二极管，具有快速开关、低栅极电荷和极低导通电阻等特点，适用于DC/DC转换器等场合。
FAIRCHILD FDC638P 说明书 该文件介绍了一种P-Channel 2.5V PowerTrench MOSFET产品，采用Fairchild Semiconductor的先进工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷，适用于电池供电应用，包括负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDC638APZ 说明书 FDC638APZ 是 Fairchild Semiconductor 生产的一种 P 通道 2.5V 指定 MOSFET，具有极低的 rDS(on) 和低栅极电荷，适用于电池供电应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
FAIRCHILD FDC637BNZ 说明书 FDC637BNZ N-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 是一种高性能的N沟道MOSFET，采用了Fairchild Semiconductor 的先进PowerTrench®工艺，具有非常低的导通电阻和低栅极电荷，提供卓越的开关性能。与标准的SO-8和TSSOP-8封装相比，该器件具有非常小的占地面积和优异的功耗性能。
FAIRCHILD FDC637AN 说明书 FDC637AN是Fairchild Semiconductor生产的N沟道功率管, 额定电压2.5V, 最大电流6.2A, 采用PowerTrench工艺, 具有低RDS(ON), 低栅极电荷等特点
FAIRCHILD FDC634P 说明书 这份文件介绍了一款P-Channel 2.5V特定功率MOSFET，采用Fairchild低压PowerTrench工艺，为电池电源管理应用进行了优化。产品特点包括：-3.5A，-20V的漏源电阻，80 mΩ @ VGS = –4.5V，110 mΩ @ VGS = –2.5V；低栅极电荷（7.2 nC typ）；高性能沟道技术，极低漏源电阻。
FAIRCHILD FDC6333C 说明书 FDC6333C 30V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs是Fairchild Semiconductor Corporation生产的高性能MOSFET，采用先进的PowerTrench工艺，具有极低的RDS(ON)和优异的开关性能。该器件采用SuperSOT-6封装，具有小巧的外形和低厚度，非常适合对功耗和外形尺寸要求苛刻的应用场合。
FAIRCHILD FDC6327C 说明书 FDC6327C是一种双N和P通道2.5V指定的PowerTrenchTM MOSFET。它使用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺制造，该工艺专门针对最小化开关状态电阻，同时保持低栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件经过设计，在非常小的占地面积内提供出色的功耗，对于那些更大、更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装不切实际的应用非常有用。
