FAIRCHILD FDB3682 / FDP3682 说明书 该文档介绍了FDB3682 / FDP3682 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其低电阻、低Miller电荷、低QRR体二极管、UIS能力以及适用的应用领域。
FAIRCHILD FDB3632 / FDP3632 / FDI3632/FDH3632 说明书 FDB3632/FDP3632/FDI3632/FDH3632是N通道PowerTrench®MOSFET，额定电压100V，额定电流80A，典型导通电阻7.5mΩ。
FAIRCHILD FDB2614 说明书 FDB2614是一款200V N通道功率Trench MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，特别定制以最大限度地减少开关状态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDD3860 说明书 FDD3860是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻，并且通过了100%的UIL测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDD3706/FDU3706 说明书 FDD3706/FDU3706是Fairchild Semiconductor Corp.推出的一款N沟道MOSFET，该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度等特点，适用于DC/DC转换器和电机驱动等应用
FAIRCHILD FDD3690 说明书 该文档介绍了FDD3690型号的N沟道功率MOSFET，该器件专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，具有更快的开关速度和更低的门电荷。它适用于同步或传统开关PWM控制器。该MOSFET易于驱动，即使在非常高的频率下也更安全，并且具有更高的整体效率。
FAIRCHILD FDD3682 说明书 FDD3682 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 N 通道 MOSFET，具有 100V 的最大电压、32A 的最大电流和 36mΩ 的典型导通电阻。该产品采用 PowerTrench 技术，具有低米勒电荷和低 QRR 体二极管特性，通过了 AEC Q101 认证，适用于 DC/DC 转换器和离线 UPS、分布式电源架构和 VRM、24V 和 48V 系统的主开关、高压同步整流器、直接喷射/柴油喷射系统、42V 汽车负载控制和电子凸轮轴系统等应用。
FAIRCHILD FDD3680 说明书 该文件介绍了FDD3680型号的N沟道功率MOSFET，该器件专为提高直流/直流转换器的整体效率而设计。它具有更快的开关速度和更低的门电荷，比其他具有相似RDS(ON)规格的MOSFET更容易和更安全驱动（甚至在非常高的频率下）。通过使用这种MOSFET，可以设计具有更高整体效率的直流/直流电源。
FAIRCHILD FDD3670 说明书 该产品是一款100V N-Channel PowerTrench MOSFET，额定电流为34A，额定开关电压为100V，门极电压为±20V，开关速度快，门极电荷低，具有高功率和电流处理能力。
FAIRCHILD FDD306P 说明书 FDD306P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench ® MOSFET 是一款高性能低电压功率晶体管，具有极低的导通电阻（R DS(ON) = 28 m Ω @ V GS = –4.5 V），可用于 DC/DC 转换器等应用
FAIRCHILD FDD2582 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 66mOhm 数据手册 FDD2582是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N型MOSFET，最大电压为150V，最大电流为21A，典型导通电阻为58mΩ。
FAIRCHILD FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 13mOhm 数据手册 FDD16AN08A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道超级沟槽MOSFET，其特点是Rds(on)为13mOhm(典型值)，Vgs为10V，ID为50A，Qg(tot)为31nC(典型值)，Vgs为10V，低Miller充电，低Qrr体二极管，UIS能力(单脉冲和重复脉冲)，合格AEC Q101，以前为开发型82660。应用包括42V汽车负载控制、起动/交流发电机系统、电子动力转向系统、电子气门杆系统、DC-DC转换器和离线UPS、分布式电源体系结构和VRM、24V和48V系统的主开关。
FAIRCHILD FDD10AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm 数据手册 该文件介绍了FDD10AN06A0 N-沟道功率MOSFET的特点和特性，包括其电阻、电荷和耐压等参数。
FAIRCHILD FDC8886 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDC8886是Fairchild Semiconductor生产的一种高性能N沟道功率MOSFET，其最大导通电阻为23mΩ，可实现快速开关速度。
FAIRCHILD FDC86244 说明书 FDC86244 N 通道 Power Trench® MOSFET 是一款高性能功率 MOSFET ，具有极低的 rDS(on) ，可实现高速切换，适用于负载开关、同步整流器和主开关等应用
FAIRCHILD FDC8602 说明书 FDC8602是Fairchild Semiconductor生产的一款双N通道PowerTrench MOSFET，具有极低的RDS(on)，高功率和电流处理能力，适用于负载开关和同步整流应用。
FAIRCHILD FDC8601 说明书 FDC8601是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道功率MOSFET，具有极低的rDS(on)、高功率和电流处理能力，广泛应用于负载开关、同步整流器和主开关等电路。
