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更新: 29 September, 2023
这份文件介绍了一款P-Channel 2.5V特定功率MOSFET，采用Fairchild低压PowerTrench工艺，为电池电源管理应用进行了优化。产品特点包括：-3.5A，-20V的漏源电阻，80 mΩ @ VGS = –4.5V，110 mΩ @ VGS = –2.5V；低栅极电荷（7.2 nC typ）；高性能沟道技术，极低漏源电阻。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 7EE4C25CBC095050C414B03D90383031
发布时间: 11 July, 2012
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