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更新: 29 September, 2023
这份文档介绍了1999年4月发布的FDC6561AN双N沟道逻辑电平PowerTrenchTM MOSFET。该产品具有2.5A、30V的电流和电压特性,采用了Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺,具有低导通电阻和低门电荷,以实现卓越的开关性能。该产品适用于小尺寸设备,特别适用于电池供电系统中的低成本DC/DC转换。
文件格式: PDF
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MD5: 68F607B082B851002C3359067CD0382E
发布时间: 11 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FDC6561AN 说明书 PDF