INFINEON SPP24N60CFD CoolMOS Power Transistor 说明书 本文件是SPP24N60CFD CoolMOSTM电源晶体管的产品手册，详细介绍了该产品的特性及参数，包括最大电流、最大电压、最大功耗、最大温度等。
INFINEON PROFET ITS 716G 说明书 PROFET® ITS 716G是英飞凌的Smart High-Side Power Switch For Industrial Applications产品，特点是具有4个40V/140mΩ的状态反馈通道，应用于负载电压为12V/24V的工业应用中。
INFINEON BC846...BC850 NPN Silicon AF Transistors 说明书 BC846, BC850是NPN型硅AF晶体管，主要应用于AF输入级和驱动器应用，具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压、30Hz至15kHz之间的低噪声等特点
INFINEON IPI60R299CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPI60R299CP CoolMOSTM 功率晶体管具有最低的 RONxQg、超低栅极电荷、极端的 dv/dt 额定值和高峰值电流能力。
INFINEON IDT06S60C 2 nd generation thinQ! SiC Schottky Diode 说明书 IDT06S60C 是IDT 的一种2A 600V 的肖特基二极管，其特点是开关行为卓越，无反向恢复/无正向恢复，无温度影响开关行为，高浪涌电流能力，无铅铅镀层，RoHS 兼容，符合 JEDEC 1) 的目标应用，击穿电压在 5mA2) 下测试。该二极管专门设计用于快速开关应用，如 CCM PFC 和电机驱动。
INFINEON IPB60R165CP 说明书 IPB60R165CP CoolMOS® Power Transistor 是一款低RONxQg、低门极电荷、高dv/dt额定值、高峰值电流能力、符合JEDEC1）目标应用的铅免铅镀层、RoHS兼容的产品。
INFINEON SPP07N60S5 SPI07N60S5 说明书 SPP07N60S5和SPI07N60S5是Cool MOS™大功率晶体管，其特点是新颖的革命性高压技术，全球最小的RDS(on)在TO-220封装中，超低栅极电荷，周期性雪崩额定，极限dv/dt额定，超低有效电容，改进的传导率。
INFINEON IPI60R250CP 说明书 IPI60R250CP 是 CoolMOSTM 功率晶体管，具有最低的 RONxQg 比值、超低的栅极电荷、极端的 dv/dt 额定值、高峰值电流能力，符合 JEDEC1) 的目标应用要求，并且采用无铅铅镀层，符合 RoHS 标准。
INFINEON SPW11N60CFD 说明书 SPW11N60CFD是一款高压功率晶体管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰值电流能力、固有快速恢复体二极管和极低的反向恢复电荷。
INFINEON IDT05S60C 使用手册 IDT05S60C是第二代thinQ!TM SiC Schottky二极管，采用硅碳化物半导体材料，具有革命性的特点和特性，如开关行为基准、无反向恢复/正向恢复、开关行为不受温度影响、高浪涌电流能力等。适用于快速开关应用，如CCM PFC和电机驱动等。
INFINEON SKW20N60 说明书 SKW20N60是英飞凌的一种600V、20A的IGBT产品，采用NPT技术，具有软、快速恢复的反并联EmCon二极管。与上一代产品相比，其Eoff降低了75%，同时导通损耗也较低。该产品适用于电机控制和逆变器等应用。
INFINEON SPB11N60S5 说明书 SPB11N60S5是一款功率晶体管，其最大电压为600伏，电阻为0.38欧姆，电流为11安培。该产品具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极端dv/dt额定值、超低有效电容和改进的传导率等特点。
INFINEON BAW56... 说明书 该文件介绍了2006年1月13日发布的BAW56硅开关二极管的特点和特性。该二极管适用于高速开关应用，具有常用阳极配置。具体型号包括BAW56S、BAW56U、BAW56T和BAW56W。
