FAIRCHILD FDD6612A/FDU6612A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD6612A/FDU6612A是一款30V N通道PowerTrench MOSFET，应用于DC/DC转换器和电机驱动。其特点是RDS(ON)低，封装小，适合大电流应用。
FAIRCHILD FDD6530A 20V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD6630A是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款20V N通道MOSFET，具有低导通电阻、低开关损耗、高开关速度等特点
FAIRCHILD FDD6296/FDU6296 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD6296/FDU6296 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款高性能MOSFET，具有低门控电荷、低RDS(ON)和快速开关速度的特点，适用于DC/DC转换器和电源管理等应用。
FAIRCHILD FDD6030L 30V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD6030L是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其特点是低RDS(ON)、低门控电荷、高开关速度。
FAIRCHILD FDD5N60NZ N-Channel MOSFET 数据手册 本文件为FDD5N60NZ N-Channel MOSFET的技术手册。该器件是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild公司专有的平面条纹DMOS技术。该技术经过专门定制，可最大限度地降低导通电阻，提供更快的开关速度，并具有优异的dv/dt 能力。
FAIRCHILD FDD5690 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了一款名为PowerTrench® MOSFET的N沟道功率MOSFET。该产品具有60V的漏极-源极电压，最大漏极电流为30A，最大脉冲漏极电流为100A。其最大功率耗散为50W。该产品具有良好的热特性，操作和存储温度范围为-55至+150摄氏度。
FAIRCHILD FDD5680 N-Channel, PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD5680是Fairchild Semiconductor生产的N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)低，开关速度快，应用于DC/DC转换器和电机驱动等领域。
FAIRCHILD FDD5670 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD5670是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道MOSFET，特点是低门极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度，额定电压为60V，额定电流为52A。
FAIRCHILD FDD5614P 60V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD5614P 60V P-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild 公司生产的一种高性能功率开关器件，适用于电源管理、DC/DC转换器、负载开关等应用。
FAIRCHILD FDD5612 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD5612 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的一款 N 沟道 PowerTrench MOSFET，该 MOSFET 具有 18 A、60 V 的额定功率，RDS(ON) 为 55 mΩ@VGS = 10 V，64 mΩ@VGS = 6 V。该 MOSFET 适用于高频 DC/DC 转换器，具有低栅极电荷和非常快的开关速度。
FAIRCHILD FDD4685 40V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 该文件介绍了2006年10月发布的FDD4685 40V P-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性。
FAIRCHILD FDG6335N 20v N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDG6335N是一款20V N通道PowerTrench MOSFET，其低RDS(ON)和低QG特性使其非常适合应用于DC/DC转换器、电源管理和负载开关等场合。
FAIRCHILD FDG6332C 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs 数据手册 FDG6332C是Fairchild Semiconductor Corporation生产的20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs，具有低门极电荷、极低的RDS(ON)，适用于DC/DC转换器、负载开关等应用。
FAIRCHILD FDG6322C Dual N & P Channel Digital FET 数据手册 FDG6322C是Fairchild生产的一款双N和P通道逻辑级增强型场效应晶体管。它具有非常小的封装尺寸和低压驱动要求，可以直接在3V电路中工作。该器件设计用于替代双极性数字晶体管和小信号MOSFET，并且不需要偏置电阻。
FAIRCHILD FDG6321C Dual N & P Channel Digital FET 数据手册 FDG6321C是Fairchild生产的逻辑级增强模式场效应晶体管，采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术。该设备专为低电压应用而设计，可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
FAIRCHILD FDG6320C Dual N & P Channel Digital FET 数据手册 这是 FDG6320C 的数据表，它是一款双 N 型和 P 型通道数字 FET。它具有非常小的包装外形 SC70-6，非常低的门驱动要求，允许在 3V 电路中直接操作 (VGS(th) < 1.5 V)，门源 Zener 用于 ESD 耐用性 (> 6kV 人体模型)。
FAIRCHILD FDG6318PZ Dual P-Channel, Digital FET 数据手册 这是一份关于FDG6318PZ双P通道数字型增强模式MOSFET的文件。该产品特点是具有低开态电阻和低门极驱动要求，适用于电池管理等领域。
FAIRCHILD FDG6318P Dual P-Channel, Digital FET 数据手册 FDG6318P是由Fairchild Semiconductor生产的双P通道逻辑级增强模式MOSFET，使用PowerTrench工艺，电阻小，适用于低压应用
FAIRCHILD FDG6316P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了2001年Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDG6316P型号的P-Channel 1.8V MOSFET产品的特点和特性，适用于电池管理和负载开关等应用。
