FAIRCHILD FDD86252 说明书 FDD86252 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一种N通道MOSFET，其最大特点是具有低导通电阻和优异的开关性能。
FAIRCHILD FDD86250 说明书 FDD86250 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道MOSFET，其最大导通电阻为22 mΩ，额定电压为150 V，最大电流为50 A，应用于DC - DC转换。
FAIRCHILD FDD86113LZ 说明书 FDD86113LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款功能强大的MOSFET产品，具有低电阻、高电力和电流处理能力的特点，并采用先进的Power Trench®工艺生产。
FAIRCHILD FDD86110 说明书 FDD86110 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N沟道功率MOSFET，额定电压为100 V，额定电流为50 A，最大导通电阻为10.2 mΩ，是DC-DC转换应用的理想选择。
FAIRCHILD FDD86102LZ 说明书 FDD86102LZ N-Channel PowerTrench® MOSFET 是 Fairchild Semiconductor Corporation 生产的高性能 MOSFET，具有最大 22.5 mΩ 的导通电阻，适用于 DC-DC 转换、逆变器和同步整流器等应用。
FAIRCHILD FDD86102 说明书 FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道MOSFET，其最大导通电阻为24 mΩ，额定工作电压为100 V，额定工作电流为36 A。
FAIRCHILD FDMC15N06 说明书 FDMC15N06是一款N沟道MOSFET功率器件，具有55V的漏极到源极电压、15A的漏极电流和0.090Ω的导通电阻。该器件采用了先进的UItraFET工艺，具有最低的单位硅面积导通电阻，性能优异。它能够承受高能量的雪崩模式，且二极管具有非常低的反向恢复时间和储存电荷。适用于功率效率重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。
FAIRCHILD FDMB668P 说明书 FDMB668P是一种低压P通道MOSFET，具有低RDS(on)，适用于便携式应用。它集成了一种P通道MOSFET，具有最小的开启状态电阻，并将其集成到MicroFET 3x1.9封装中，从而实现了效率、热传递和小型化之间的最佳平衡。当优化便携式应用的尺寸时，这款小装置提供了一种非常有效的解决方案。
FAIRCHILD FDMA7632 说明书 FDMA7632是Fairchild公司推出的一款N通道功率晶体管，其最大漏源电压为30V，最大电流为9A，典型导通电阻为19mΩ，在4.5V的栅源电压下，最大导通电阻为30mΩ，该器件采用MicroFET 2x2 mm的新封装，高度仅为0.8mm，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMA7630 说明书 FDMA7630是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率MOSFET，其最大电压为30V，最大电流为11A，最大导通电阻为13mΩ。该器件采用MicroFET 2x2 mm封装，厚度仅0.8mm，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMA7628 说明书 这是一份关于FDMA7628单N通道1.5V规定的PowerTrench® MOSFET的文档。该产品具有最大rDS(on)为14.5 mΩ，最大电压为20V，最大电流为9.4A，最大功耗为1.9W。它采用了低剖面设计，尺寸为2x2mm，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMA6023PZT 说明书 FDMA6023PZT是一款双P-Channel PowerTrench® MOSFET，工作电压为-20V，最大漏源电阻为60 mΩ，适用于电池充电开关、电池管理和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDM3622 说明书 FDM3622 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款100V、4.4A、60mΩ的MOSFET，其特点包括低Miller充电、低QRR、体二极管、高频优化效率、UIS能力（单脉冲和重复脉冲）和RoHS兼容性。
FAIRCHILD FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 说明书 FDP038AN06A0 / FDI038AN06A0 是一款60V、80A、3.8mΩ的N沟道PowerTrench® MOSFET，其特点包括：rDS(ON) = 3.5mΩ（典型值），VGS = 10V，ID = 80A；Qg(tot) = 95nC（典型值），VGS = 10V；低Miller电荷；低QRR体二极管；UIS能力（单脉冲和重复脉冲）。
FAIRCHILD FDI030N06 说明书 FDI030N06是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道功率晶体管。它具有低RDS(on)、快开关速度和低门极电荷等特点。
