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FCA16N60N N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款高性能产品。该产品采用先进的深沟填充工艺，具有超低RDS(on)、超低门极电荷、低有效输出电容等特点。

ATS610LSC是一种动态、峰值检测、差分霍尔效应齿轮传感器，适用于数字齿轮传感应用。该传感器具有高温塑料外壳，内部集成了优化的霍尔IC、磁铁组件、极板和电压调节器。它可以与各种形状和大小的齿轮或目标配合使用，并且具有较高的抗干扰能力。该传感器适用于使用齿轮齿形配置收集速度、位置和时间信息。它采用霍尔效应技术，包含双元素霍尔IC，能够对铁质目标产生的差分磁信号进行切换。该传感器具有专利的峰值检测电路，可以消除磁铁和系统偏移影响，能够稳定工作在极低的旋转速度下。

该数据表介绍了ATS612LSB齿轮传感器的特点，包括使用自动增益控制以提供极其准确的齿轮边缘检测，使用差分开集电极霍尔IC，使用高温塑料外壳固定钐钴磁铁、极片和优化到磁路的差分开集电极霍尔IC，小巧的包装可以轻松组装和使用各种齿轮形状和尺寸

ATS612LSG峰值检测式差分霍尔效应齿轮传感器

该文件介绍了ATS616LSG-DS型号的动态自校准峰值检测差动霍尔效应齿轮传感器的特点和特性。该传感器具有自校准、紧密的时间精度、首齿检测、对气隙变化和系统偏移的抗干扰能力等特点。

FDB13AN06A0/FDP13AN06A0 是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道PowerTrench®MOSFET，额定电压60V，额定电流62A，导通电阻13.5mΩ。

ATS625LSG是Allegro公司生产的一款数字齿轮齿条传感器，具有高可重复性、高精度、高可靠性等特点。

FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0 是N通道PowerTrench® MOSFET，额定电压为60 V，额定电流为80 A，典型导通电阻为7mΩ。

该数据手册提供了FDB060AN08A0 / FDP060AN08A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特性，包括额定电压、额定电流、漏源电阻、门源电压、栅极到源极电压等。

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括60V的漏极到源极电压，80A的漏极电流，5mΩ的漏极-源极电阻，以及低Miller电荷和低QRR二极管。

该PDF文件是关于FDB039N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET的数据手册。该MOSFET具有低导通电阻、快开关速度和低门极电荷，适用于DC/DC转换器和同步整流器等应用。

FDB035AN06A0 是一款 60V、80A、3.5mΩ 的 N 通道 PowerTrench® MOSFET。它具有低 Miller 充电、低 Qrr 体二极管、UIS 能力 (单脉冲和重复脉冲)，并已获得 AEC Q101 认证。

该文件是关于FDB029N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET的介绍，包括其特性、应用场景、最大额定值、热特性等。

FDB024N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能N沟道MOSFET，该器件具有低RDS(on)、高开关速度、低栅极电荷等特点，适用于DC/DC转换器、同步整流等应用场合。

该文件介绍了Fairchild半导体公司的UniFET TM FDA69N25 250V N-通道MOSFET产品的特点，包括69A的电流、250V的电压、低电荷和快速开关等特性。

The ATS635LSE and ATS636LSE programmable, true power-on state (TPOS), sensors are an optimized Hall-effect IC and magnet combination that switch in response to magnetic signals created by ferrous targets in gear-tooth sensing and proximity applications. The devices are externally programmable. A wide range programmability is available on the magnetic operate point (BOP) while theof hysteresis remains fixed. This advanced feature allows for optimization of the sensor switch point and can drastically reduce the effects of mechanical placement tolerances found in production environments . A proprietary dynamic offset cancellation technique, with an internal high-frequency clock, reduces the residual offset voltage, which is normally caused by device overmolding, temperature dependencies, and thermal stress. Having the Hall element and amplifier in a single chip minimizes many problems normally associated with low-level analog signals. This sensor system is ideal for use in gathering speed or position information using gear-tooth-based configurations, or for proximity sensing with ferrous targets. The ATS635LSE switches HIGH in the presence of a ferrous target or tooth and switches LOW in the presence of a target valley, window, or when the ferrous target is removed. The ATS636LSE has the opposite polarity and switches LOW in the presence of a ferrous target

ATS642LSH是一款优化的霍尔效应传感集成电路和磁铁组合，可为两线应用提供真正的零速数字齿轮齿感应用户友好型解决方案。传感器由一个一次性模塑塑料外壳组成，该外壳包括钐钴磁铁、极片和优化到磁路的霍尔效应IC。这种小型外壳具有优化的两线引线框架，可轻松装配并与各种齿轮形状和尺寸一起使用。集成电路采用双元素霍尔效应传感器和信号处理器，可提供高精度、可靠的齿轮齿感应。

ATS643LSH是一款优化的集成电路和磁铁组合，为实现真正零速的数字齿轮传感器提供了一种易于制造商使用的解决方案。该传感器具有精确的占空比精度、大操作空隙、低功耗和快速启动时间。

FDA16N50 / FDA16N50_F109 500V N-Channel MOSFET 是一款低阻抗、低栅极电荷、低寄生电容、高开关速度、100% 雪崩测试的 N 沟道 MOSFET。

该文件介绍了UniFET TM系列的FDA15N65 650V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括16A的电流、650V的电压、0.44Ω的导通电阻、低门电荷、快速开关速度等。