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更新: 28 September, 2023
该文档介绍了2009年3月发布的QFET TM FQD20N06L / FQU20N06L产品的特点和特性。这些N-通道增强型功率场效应晶体管采用了Fairchild的专有平面条纹DMOS技术生产。该技术经过特殊设计，以减小导通电阻、提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。该产品非常适用于低电压应用，如汽车、DC/ DC转换器以及便携和电池操作产品的高效开关功率管理。
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MD5: 406C19E88751E262938A9C256069F7C7
发布时间: 12 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FQD20N06L/FQU20N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 PDF