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FAIRCHILD NDP6020P, NDB6020P 说明书

该产品是Fairchild生产的P通道逻辑级增强模式功率场效应晶体管，具有极低的开启电阻、优异的开关性能和承受高能脉冲的能力。该产品适用于低压应用，如汽车、工业、通信、计算机等领域。

FAIRCHILD NDP5060L/NDB5060L 说明书

NDP5060L/NDB5060L是Fairchild生产的逻辑级N通道增强型功率场效应晶体管，采用高密度DMOS技术，具有Rdson极低、开关速度快、承受高能脉冲的能力，适用于低压应用领域。

FAIRCHILD IRLS640A 说明书

本文件详细介绍了IRLS640A MOSFET产品的特点特性，包括绝对最大额定值、热阻、电气特性等。

FAIRCHILD IRL640A 说明书

IRL640A是一款具有以下特点的功率MOSFET：逻辑电平门控、耐电压、耐电荷、输入容量较低、门电荷改善、安全工作区域扩展、漏电流较低、导通电阻较低。

FAIRCHILD HUFA76429D3, HUFA76429D3S 说明书

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUFA76429D3和HUFA76429D3S型号的特点和特性，包括超低导通电阻、模拟模型和温度补偿模型、峰值电流与脉冲宽度曲线、UIS评级曲线以及开关时间与RGS曲线等。

FAIRCHILD HUF76639P3, HUF76639S3S 说明书

HUF76639P3, HUF76639S3S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款50A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET

FAIRCHILD HUF76629D3, HUF76629D3S 说明书

HUF76629D3 和 HUF76629D3S 是 20A、100V、0.054 欧姆、N 沟道、逻辑级 UltraFET® 功率 MOSFET。

FAIRCHILD HUF76609D3, HUF76609D3S 说明书

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUF76609D3和HUF76609D3S产品。这些是N-通道逻辑电平UltraFET®功率MOSFET，具有超低导通电阻和高峰值电流承受能力。文档中还提供了产品的封装符号、特性和特点，以及订购信息和绝对最大额定值。

FAIRCHILD HUF76439P3, HUF76439S3S 说明书

该文件介绍了HUF76439P3和HUF76439S3S型号的Fairchild半导体产品的特点和特性，包括超低导通电阻、温度补偿的模拟模型和热阻模型，以及峰值电流与脉冲宽度曲线和开关时间与RGS曲线等。还提供了订购信息和绝对最大额定值。

FAIRCHILD HUF76429P3, HUF76429S3S 说明书

HUF76429P3, HUF76429S3S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的44A, 60V, 0.025 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET。

FAIRCHILD HUF76423P3, HUF76423S3S 说明书

该产品是一款N沟道逻辑级超低阻力功率MOSFET，具有超低门极电阻（rDS(ON) = 0.030Ω，VGS = 10V，rDS(ON) = 0.035Ω，VGS = 5V），可用于各种应用。

FAIRCHILD HUF76407D3, HUF76407D3S 说明书

该文件介绍了HUF76407D3和HUF76407D3S两款N-沟道逻辑电平UltraFET®功率MOSFET产品的特点和特性，包括超低导通电阻、温度补偿的PSPICE和SABER电气模型、Spice和SABER热阻模型等。

FAIRCHILD HUF75652G3 说明书

HUF75652G3是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道MOSFET，其特点是开关电阻低，最大承受电压为100V，最大电流为75A。

FAIRCHILD HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3 说明书

HUF75639G3、HUF75639P3、HUF75639S3S、HUF75639S3是美国FAIRCHILD公司生产的N沟道超级电源MOSFET，具有非常低的开关损耗、超高的开关速度、高电流密度和高可靠性等特点，适用于开关电源、开关变换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关、便携式电池供电产品等应用场合。

FAIRCHILD HUF75631P3, HUF75631S3ST 说明书

HUF75631P3, HUF75631S3ST 33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel, UltraFET® Power MOSFETs是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款超低导通电阻功率MOSFET。

FAIRCHILD RFG70N06, RF1S70N06, RFP70N06, RF1S70N06SM 说明书

RFG70N06, RFP70N06, RF1S70N06, RF1S70N06SM是Fairchild Semiconductor Corporation生产的N-通道功率MOSFET，具有70A，60V，0.014 Ohm的特点。它们是为在开关稳压器，开关变换器，电机驱动器和继电器驱动器等应用中使用而设计的。这些晶体管可以直接由集成电路操作。

FAIRCHILD RFG50N06, RFP50N06, RF1S50N06SM 说明书

该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的RFG50N06、RFP50N06和RF1S50N06SM三种型号的N-Channel功率MOSFET的特点和特性，包括使用MegaFET工艺制造、优异性能、适用于开关稳压器、开关转换器、马达驱动器和继电器驱动器等应用等。

FAIRCHILD RFD16N06LESM 说明书

RFD16N06LESM是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel power MOSFETs，具有16A，60V，0.047 Ohm，Logic Level的特点。

FAIRCHILD RFD16N05, RFD16N05SM 说明书

RFD16N05, RFD16N05SM 16A, 50V, 0.047 Ohm, N-Channel Power MOSFETs 是Fairchild Semiconductor Corporation制造的一种功率MOSFET，具有16A、50V、rDS（ON）= 0.047 Ω、Temperature Compensating PSPICE® Model、Peak Current vs Pulse Width Curve、UIS Rating Curve、175oC Operating Temperature等特性。

FAIRCHILD RFD16N05L, RFD16N05LSM 说明书

这份文档介绍了RFD16N05L和RFD16N05LSM两款N沟道逻辑电平功率MOSFET器件的特点和特性，包括其功率控制、导电能力、门极偏置范围、特殊门氧化设计、开关速度等。