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更新: 30 September, 2023
FDT86246 N-Channel Power Trench® MOSFET是一种高性能、低阻抗、高功率和高电流处理能力的N沟道MOSFET。它采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺，该工艺经过优化，可实现极低的rDS(on)、快速的开关速度和坚固性。
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MD5: 23749CE80C71FDC3EC4861FDB2C3B1C3
发布时间: 12 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FDT86246 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 PDF