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1SMA4741 THRU 1SMA200Z Surface Mount Silicon Zener Diode 说明书

1SMA4741 THRU 1SMA200Z 1.0W 11-200V 表面贴装硅齐纳二极管

MOTOROLA 1SMA5913BT3 through 1SMA5945BT3 数据手册

本文件介绍了1.5瓦稳压二极管的特点特性，包括电压范围、ESD评级、表面平整度、封装设计、外形尺寸、包装方式等。

1SMA5926 THRU 1SMA5945 Surface Mount Silicon Zener Diode 说明书

1SMA5926-1SMA5945 是1.5瓦功率的表面贴装硅稳压二极管，电压范围为11至68伏特。

NTGS3441T1 Power MOSFET 1 Amp, 20 Volts P−Channel TSOP−6 说明书

NTGS3441T1是一种功率MOSFET产品，具有超低的RDS(on)值和高效率，适用于便携式和电池供电产品的电源管理。

NTGS3443T1 Power MOSFET 2 Amps, 20 Volts P−Channel TSOP−6 说明书

NTGS3443T1 是一种 2 安培、20 伏特的 P 通道 TSOP-6 功率 MOSFET，具有超低 RDS(on)、更高的效率以及延长电池寿命的特点，并提供紧凑的 TSOP6 表面贴装封装。

JLC1562B I2 C Bus I/O Expander 说明书

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MMSD103T1 High Voltage Switching Diode 说明书

该文件介绍了MMSD103T1型号的半导体元件的最大额定值、热特性和电特性。MMSD103T1是一种二极管，具有250V的连续反向电压和200mA的峰值正向电流。

FAIRCHILD MMSD4148 说明书

该文件是关于Fairchild Semiconductor的MMSD4148型号产品的绝对最大额定值和电气特性的说明。该产品具有紧凑的表面贴装封装，功耗为400毫瓦，具有高击穿电压和快速开关速度等特点。

MMSD4148 SWITCHING DIODE 说明书

MMSD4148是MMSD系列的一种开关二极管，它具有高击穿电压、快速开关时间、表面贴装包装等特点。

MMSD4148T1 Switching Diode 说明书

MMSD4148T1是ON Semi的一种开关二极管，具有高击穿电压和快速开关时间。它有SOD−123表面贴装封装，可在8毫米磁带和卷轴上获得，还提供无铅封装。

MMSD4148T1 Switching Diode 说明书

该文件介绍了开关二极管的特点，包括SOD-123表面贴装封装、高击穿电压、快速开关时间等。

FAIRCHILD MMSD914 数据手册

该文档介绍了一种高击穿电压、快速开关速度的表面贴装包装器件，具有紧凑的尺寸和高功率耗散能力。此外，该器件具有低电容和快速反向恢复时间的特点。

MOTOROLA Semiconductor MMSD914T1 数据手册(1)

This document is about mmsd914t1.

MOTOROLA Semiconductor MMSD914T1 数据手册(1)

该文档介绍了Motorola的小信号晶体管、场效应管和二极管的特点和特性，其中包括开关二极管的封装形式、高击穿电压和快速开关时间等特点。

MOTOROLA Semiconductor MMSF10N02Z 数据手册(1)

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data是一份介绍Motorola的中功率表面贴装产品的文档。这些产品采用Motorola的高电池密度HDTMOS工艺，并包含单片式反向锐利二极管。这些二极管提供了对静电放电和突发电压的保护。这些微型表面贴装MOSFET具有低RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换流模式中的高能量，且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。EZFET器件设计用于低电压、高速开关应用，具有较高的功率效率。

MOTOROLA Semiconductor MMSF10N02Z 数据手册(1)

该数据表提供了关于摩托罗拉EZFETs(高密度TMOS功率MOSFET)的详细信息，包括最大额定值、电压、电流等。

MOTOROLA Semiconductor MMSF10N03Z 数据手册

Motorola TMOS功率MOSFET晶体管设备数据介绍了一系列中功率表面贴装产品。这些产品采用Motorola的TMOS高细胞密度工艺，并包含单片式反向极化二极管，可提供防电静电放电和意外瞬态保护。这些微型表面贴装MOSFET具有超低导通电阻和真正的逻辑电平性能。它们能够在雪崩和换相模式下承受高能量，且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。EZFET器件专为低电压、高速开关应用而设计，重视功率效率。典型应用包括直流-直流转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、蜂窝电话和无绳电话。它们还可用于低电压电机控制，如磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品。

MOTOROLA MMSF10N03Z 数据手册

这份PDF文件主要介绍了摩托罗拉tmos 功率mosfet 晶体管的产品数据，该产品系列具有超低RDS(on) 和真正的逻辑级性能，并且能够承受高能量。典型的应用包括dc-dc 转换器和电源管理在便携式和电池供电的产品，如电脑、打印机、蜂窝电话和无线电话。

MOTOROLA MMSF1308 数据手册

MiniMOS 是高性能低压、高速度 MOSFET 系列，适用于功率效率至关重要的应用。

MOTOROLA MMSF1310 数据手册

该文件是关于Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data的技术资料，主要介绍了MiniMOS系列产品的特点，其特点包括超低RDS(on)和true logic level performance，能够承受高能量，并且具有很低的反向恢复时间。该系列产品主要应用于低电压、高速度开关应用，如dc-dc转换器、电源管理等