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FAIRCHILD FDC3601N 说明书

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FAIRCHILD FDC3512 说明书

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FAIRCHILD FDC2612 说明书

该文件是关于FDC2612的规格说明书。

FAIRCHILD FDC2512 说明书

该产品是一款1.4A，150V的N通道MOSFET，具有低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度的特点，适用于DC/DC转换器等应用。

FAIRCHILD FDB86135 说明书

FDB86135 N-Channel PowerTrench MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET，它具有快速的开关速度、低的门极电荷、非常低的RDS(on)和高功率和电流处理能力。

FAIRCHILD FDB86102LZ 说明书

FDB86102LZ是一款N-沟道PowerTrench® MOSFET，具有100V的漏极到源极电压，30A的漏极电流和24mΩ的最大导通电阻。它具有快速的开关速度和非常低的总电荷和栅极-漏极总电荷，适用于DC-DC转换、逆变器和同步整流器等应用。

FAIRCHILD FDB390N15A 说明书

FDB390N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET 数据表，该器件具有低RDS(on)、快速开关速度、低栅极电荷、高性能沟槽技术，可用于DC到DC转换器、同步整流器等场合

lowrance X71 Fish-finding & Depth Sounding Sonar Installation and Operation Instructions

该文件介绍了一款产品的特点和特性，包括其功能、性能、设计等方面的信息。

FAIRCHILD FDB2710 说明书

该文件介绍了FDB2710 250V N-Channel PowerTrench MOSFET的特点和特性，采用了先进的PowerTrench工艺，具有低导通电阻和优异的开关性能。

FAIRCHILD FDB2614 说明书

FDB2614是一款200V N通道功率Trench MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，特别定制以最大限度地减少开关状态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。

FAIRCHILD FDD390N15ALZ 说明书

FDD390N15ALZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其最大额定电压为150V，最大连续电流为26A，开关速度快，门极电荷低，具有高性能、低RDS(on)、高功率和电流处理能力。

FAIRCHILD FDD390N15A 说明书

FDD390N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET，是Fairchild Semiconductor生产的一种N沟道MOSFET，采用先进的PowerTrench工艺，具有低RDS(on)和高开关速度等特点。

FAIRCHILD FDD3510H 说明书

FDD3510H是Fairchild Semiconductor生产的双N和P通道增强型功率MOSFET，采用了该公司先进的PowerTrench®工艺，该工艺专门针对最小化开关状态电阻而设计，同时仍能保持卓越的开关性能。

FAIRCHILD FDD2582 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 21A, 66mOhm 数据手册

FDD2582是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N型MOSFET，最大电压为150V，最大电流为21A，典型导通电阻为58mΩ。

FAIRCHILD FDD2572 / FDU2572 N-Channel UltraFET® Trench MOSFET 150V, 29A, 54mOhm 数据手册

FDD2572 / FDU2572是一种N沟道PowerTrench® MOSFET功率场效应晶体管，具有150V电压、29A电流和54mΩ的导通电阻。它具有低Miller电荷、低QRR体二极管、UIS能力和符合AEC Q101标准等特点。

FAIRCHILD FDD18N20LZ N-Channel MOSFET 数据手册

这份文档介绍了FDD18N20LZ N-Channel MOSFET的特点特性，包括最大额定电压、最大漏极电流、热特性等。

FAIRCHILD FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 13mOhm 数据手册

FDD16AN08A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道超级沟槽MOSFET，其特点是Rds(on)为13mOhm(典型值)，Vgs为10V，ID为50A，Qg(tot)为31nC(典型值)，Vgs为10V，低Miller充电，低Qrr体二极管，UIS能力(单脉冲和重复脉冲)，合格AEC Q101，以前为开发型82660。应用包括42V汽车负载控制、起动/交流发电机系统、电子动力转向系统、电子气门杆系统、DC-DC转换器和离线UPS、分布式电源体系结构和VRM、24V和48V系统的主开关。

FAIRCHILD FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 14A, 120mOhm 数据手册

FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 14A, 120mΩ 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低漏电流、低导通电阻、高耐压、高耐温的N沟道MOSFET，适用于DC/DC Converters和Off-line UPS、Distributed Power Architectures和VRMs、Primary Switch for 24V and 48V Systems、High Voltage Synchronous Rectifier、Direct Injection / Diesel Injection Systems、Electronic Valve Train Systems等应用场景。

FAIRCHILD FDD10N20LZ N-Channel MOSFET 数据手册

FDD10N20LZ是Fairchild公司生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为200V，最大电流为7.6A。该产品具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和RoHS合规性等特点。

FAIRCHILD FDD10AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm 数据手册

该文件介绍了FDD10AN06A0 N-沟道功率MOSFET的特点和特性，包括其电阻、电荷和耐压等参数。