FAIRCHILD FDMS6681Z 说明书 该文件介绍了2009年5月发布的FDMS6681Z P-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大电阻、高ESD保护等。
ON MMSZ2V4ET1 Series Zener Voltage Regulators 500 mW SOD−123 Surface Mount 数据手册(1) 该数据表格主要介绍了MMSZ2V4ET1系列的二极管产品的特点特性，包括额定功率、最大功率、电压范围等。
FAIRCHILD FDN361BN 说明书 FDN361BN 是一种 30V N 通道逻辑级 PowerTrench MOSFET，其开关速度快，线损低。适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡等低压应用。
FAIRCHILD FDN340P 说明书(1) 该数据表是关于FDN340P的，它是一款由Fairchild Semiconductor Corporation生产的单P通道逻辑级MOSFET。该器件具有非常低的RDS(ON)（70mΩ@VGS=-4.5V）和低门控电荷（7.2nC典型值），适用于负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换等便携式电子应用。
FAIRCHILD FDMS86310 说明书 FDMS86310 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款具有低rDS(on)和高效率的MOSFET，适用于DC/DC转换器等应用。
ON MMSZ4678ET1 Series Zener Voltage Regulators 500 mW SOD−123 Surface Mount 数据手册 该文件是MMSZ4678ET1系列Zener 电压调节器的产品手册
ON MMSZ4678T1 Series Zener Voltage Regulators 500 mW SOD−123 Surface Mount 数据手册 这份文件介绍了MMSZ4678T1系列稳压二极管的特点和特性。这些二极管采用方便的表面贴装塑料SOD−123封装，提供34脚封装的替代方案。
FAIRCHILD FDMS86201 说明书 FDMS86201 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能、低阻抗的 MOSFET，适用于 DC-DC 转换电源等应用。
FAIRCHILD FDMS86105 说明书 FDMS86105是一款N沟道PowerTrench® MOSFET功率场效应管。该产品具有最大34 mΩ的rDS(on)（在VGS = 10 V，ID = 6 A时），以及最大54 mΩ的rDS(on)（在VGS = 6 V，ID = 4.5 A时）。它采用先进的封装和硅材料组合，以实现低rDS(on)和高效率。该产品通过100% UIL测试，并符合RoHS指令。
FAIRCHILD FDMS86104 说明书 该文档介绍了FDMS86104 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大的导通电阻、先进的封装和硅组合、MSL1稳健的封装设计、100% UIL测试以及符合RoHS标准。
ON MMSZ4678T1 Series Preferred Device Zener Voltage Regulators 500 mW SOD−123 Surface Mount 数据手册 MMSZ4678T1是一款500mW的SOD-123表面贴装的齐纳二极管，具有500mW的额定功率，-1.8V到43V的齐纳反向电压范围，适用于FR-4或FR-5板，可选铅封装。
FAIRCHILD FDMS86103L 说明书 FDMS86103L N-Channel Power Trench® MOSFET是一款100 V，49 A，8 mΩ的N沟道MOSFET，具有以下特点：最大RDS(on)=8 mΩ，VGS=10 V，ID=12 A；最大RDS(on)=11 mΩ，VGS=4.5 V，ID=10 A；先进的封装和硅芯片组合，可实现低RDS(on)和高效率；MSL1坚固的封装设计；100% UIL测试；符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDMS86102LZ 说明书 该文档介绍了FDMS86102LZ N-Channel Power Trench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大导通电阻、ESD保护等级和适用于直流-直流转换、逆变器和同步整流器等应用。
FAIRCHILD FDMS86101DC 说明书 FDMS86101DC是Fairchild Semiconductor生产的N通道MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺，具有极低的沟道电阻，优异的开关性能，适用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDMS86101 说明书 FDMS86101是一款N沟道功率MOSFET，采用Fairchild Semiconductor先进的Power Trench®工艺生产，具有低通态电阻和高效率的特点。
FAIRCHILD FDP51N25/FDPF51N25 说明书 FDP51N25 / FDPF51N25 250V N-Channel MOSFET是一款由Fairchild生产的N沟道增强型功率场效应晶体管，它具有51A、250V、RDS（on）=0.06Ω @VGS = 10 V、低栅极电荷（典型55 nC）、低Crss（典型63 pF）等特点。它采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有极低的开启电阻、卓越的开关性能，并且能够承受高能脉冲。该器件非常适合于高效开关电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 说明书 FDP42AN15A0 / FDB42AN15A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 35A, 42mΩ 产品具有低Miller Charge、低Qrr Body Diode、UIS Capability（单脉冲和重复脉冲）等特点。
