FAIRCHILD FDMA510PZ 说明书 FDMA510PZ是一款单极P通道PowerTrench®MOSFET，其最大漏源电压为–20V，最大漏源电流为–7.8A，最大导通电阻为30mΩ，具有低功耗、高耐压、高开关速度等特点，适用于电池充电或负载开关等应用。
FAIRCHILD FDMA410NZ 说明书 FDMA410NZ是Fairchild Semiconductor Corporation的单N通道1.5V PowerTrench® MOSFET，其最大漏源电阻为23 mΩ，额定电压为20V，最大电流为9.5A。
FAIRCHILD FDMA291P 说明书 FDMA291P是Fairchild Semiconductor Corporation生产的P通道1.8V PowerTrench MOSFET，主要应用于电池充电或负载开关等应用场合，具有低导通电阻的特点
FAIRCHILD FDMA1032CZ 说明书 FDMA1032CZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的20V Complementary PowerTrench MOSFET，具有低导通损耗和高频开关特性。
FAIRCHILD FDMA1029PZ 说明书 FDMA1029PZ是Fairchild Semiconductor Corporation公司生产的一款双P通道功率MOSFET，具有低导通电阻和双向电流流动能力，适用于手机电池充电开关等超便携应用。
FAIRCHILD FDMA1028NZ 说明书 该产品是一款双N通道功率晶体管，可以满足手机和其他超便携应用中对双开关的需求。它具有两个独立的N通道MOSFET，开关阻抗低，导通损耗小。该产品在物理尺寸上具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。
FAIRCHILD FDMA1027PT 说明书 FDMA1027PT是双P通道PowerTrench®MOSFET，额定电压-20V，额定电流-3A，额定导通电阻120mΩ。该器件专为手机等便携式设备中电池充电开关的应用而设计，具有低结温和双向导电特性。
FAIRCHILD FDMA1027P 说明书 FDMA1027P是一款双P-Channel PowerTrench® MOSFET，特别设计用于电池充电开关在手机和其他超便携应用中的使用。它具有两个独立的P-Channel MOSFET，具有较低的导通电阻，以实现最小的导通损耗。当连接在典型的共源配置中时，可以实现双向电流流动。MicroFET 2x2封装在其物理尺寸上具有出色的热性能，非常适合线性模式应用。
FAIRCHILD FDMA1024NZ 说明书 FDMA1024NZ Dual N-Channel Power Trench® MOSFET是一款20 V, 5.0 A, 54 mΩ的双N通道功率MOSFET，具有低导通电阻、低封装高度、高ESD保护等特点，适用于蜂窝手持设备和其他超便携应用
FAIRCHILD FDL100N50F 说明书 FDL100N50F N-Channel MOSFET是Fairchild的独家产品，采用平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、快速开关、高能量脉冲、RoHS兼容等特点。
FAIRCHILD FDI150N10 说明书 该文档介绍了FDI150N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低RDS(on)，快速开关速度，低栅极电荷等。
FAIRCHILD FDP045N10A / FDI045N10A 说明书 FDP045N10A_F102 / FDI045N10A_F102 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道MOSFET，其最大耗散功率为263W，开关速度快，栅极电荷低，采用高性能沟槽技术，RDS(on)极低，是高功率和大电流处理能力的理想产品
FAIRCHILD FDH45N50F_F133 说明书 FDH45N50F_F133 是一款 500V N 通道 MOSFET，具有 0.12Ω 的 RDS(on)（在 VGS = 10 V 时）和 105 nC 的低栅极电荷（典型值）。
FAIRCHILD FDMC86160 说明书 FDMC86160 N 通道 Power Trench® MOSFET 是一款 100V、43A、14 mΩ 的 MOSFET。该 MOSFET 采用 Fairchild Semiconductor 先进的 PowerTrench® 工艺，专门针对最小化导通电阻而定制。该器件非常适合需要在小空间内实现极低 RDS（on） 的高性能 VRM、POL 和 orring 功能的应用。
FAIRCHILD FDMC86116LZ 说明书 FDMC86116LZ N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种逻辑电平MOSFET，其最大RDS(on)为103 mΩ，最大电流为7.5 A。它具有HBM ESD保护等级> 3 KV，100% UIL测试，RoHS兼容等特点。
FAIRCHILD FDMC86102LZ 说明书 FDMC86102LZ N-Channel Power Trench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，采用先进的Power Trench®工艺制成，具有出色的开关性能和高ESD保护等特性。
