FAIRCHILD FDC8601 说明书 FDC8601是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道功率MOSFET，具有极低的rDS(on)、高功率和电流处理能力，广泛应用于负载开关、同步整流器和主开关等电路。
FAIRCHILD FDC6561AN 说明书 这份文档介绍了1999年4月发布的FDC6561AN双N沟道逻辑电平PowerTrenchTM MOSFET。该产品具有2.5A、30V的电流和电压特性，采用了Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低门电荷，以实现卓越的开关性能。该产品适用于小尺寸设备，特别适用于电池供电系统中的低成本DC/DC转换。
FAIRCHILD FDC6401N 说明书 这份文件介绍了FDC6401N型号的双N沟道MOSFET，该产品专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它具有低栅极电荷、低RDS（ON）和快速开关速度的优化设计。
FAIRCHILD FDD6796A/FDU6796A_F071 说明书 FDD6796A/FDU6796A_F071是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N-Channel PowerTrench® MOSFET，最大rDS(on)为5.7 mΩ，最大ID为20 A，已通过100% UIL测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDD6780A / FDU6780A_F071 说明书 FDD6780A / FDU6780A_F071 N-Channel Power Trench® MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 推出的一款 25 V、8.6 mΩ 的 MOSFET，适用于桌面计算机和服务器的 Vcore DC-DC 和 VRM 应用。该器件具有低门极电荷、低 rDS(on) 和快速开关速度。
FAIRCHILD FDD6612A/FDU6612A 30V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD6612A/FDU6612A是一款30V N通道PowerTrench MOSFET，应用于DC/DC转换器和电机驱动。其特点是RDS(ON)低，封装小，适合大电流应用。
FAIRCHILD FDD5614P 60V P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD5614P 60V P-Channel PowerTrench® MOSFET 是Fairchild 公司生产的一种高性能功率开关器件，适用于电源管理、DC/DC转换器、负载开关等应用。
FAIRCHILD FDD5612 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD5612 是 Fairchild Semiconductor 公司生产的一款 N 沟道 PowerTrench MOSFET，该 MOSFET 具有 18 A、60 V 的额定功率，RDS(ON) 为 55 mΩ@VGS = 10 V，64 mΩ@VGS = 6 V。该 MOSFET 适用于高频 DC/DC 转换器，具有低栅极电荷和非常快的开关速度。
FAIRCHILD FDD4141 P-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDD4141 P-Channel PowerTrench® MOSFET 是一种低 rDS(on) P 通道 MOSFET，应用于开关电源和逆变器等应用。
FAIRCHILD FDG6321C Dual N & P Channel Digital FET 数据手册 FDG6321C是Fairchild生产的逻辑级增强模式场效应晶体管，采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术。该设备专为低电压应用而设计，可替代双极数字晶体管和小信号MOSFET。
FAIRCHILD FDG6318PZ Dual P-Channel, Digital FET 数据手册 这是一份关于FDG6318PZ双P通道数字型增强模式MOSFET的文件。该产品特点是具有低开态电阻和低门极驱动要求，适用于电池管理等领域。
FAIRCHILD FDG6318P Dual P-Channel, Digital FET 数据手册 FDG6318P是由Fairchild Semiconductor生产的双P通道逻辑级增强模式MOSFET，使用PowerTrench工艺，电阻小，适用于低压应用
FAIRCHILD FDG6316P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文档介绍了2001年Fairchild Semiconductor Corporation生产的FDG6316P型号的P-Channel 1.8V MOSFET产品的特点和特性，适用于电池管理和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDG6308P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 该文件介绍了FDG6308P P-Channel MOSFET的特点和特性，适用于电池管理和负载开关应用。
FAIRCHILD FDG6301N Dual N-Channel, Digital FET 数据手册 FDG6301N是一款双N通道数字场效应晶体管，其最大电压为25 V，最大电流为0.22 A。它具有低阈值电压、高密度工艺和紧凑的封装，非常适合低压应用。
FAIRCHILD FDG410NZ Single N-Channel PowerTrench MOSFET 数据手册 FDG410NZ是一款单N沟道功率晶体管，具有极低的rDS(on)和门控电荷(Qg)，适用于DC/DC转换器、电源管理和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDG330P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET 数据手册 FDG330P是Fairchild Semiconductor公司生产的P沟道1.8V指定的PowerTrench MOSFET，它具有低门极电容，极低的RDS(ON)，适用于电池管理等应用场合
VIDIKRON Plasmaview VL-40 and VL-46 1080p HIGH-DEFINITION LCD FLAT PANEL DISPLAYS Owner’s operating Manual 这是一份关于Vidikron VL-40和VL-46 1080p高清LCD平板显示器的用户手册，介绍了产品的特点、特性和使用方法。
