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MiniMOS是一种先进的功率MOSFET器件系列，采用Motorola的High Cell Density HDTMOS工艺。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受高能量的雪崩和换向模式，并且漏极到源极二极管具有非常低的反向恢复时间。MiniMOS器件设计用于低压、高速开关应用，其中功率效率很重要。典型应用包括直流-直流转换器，以及计算机、打印机、手机和无绳电话等便携式和电池供电产品中的电源管理。它们还可以用于磁存储产品（如硬盘驱动器和磁带驱动器）的低压电机控制。雪崩能量经过规定，消除了在开关感应负载时的猜测，并提供额外的安全裕量。

1 摩托罗拉 TMOS 功率 MOSFET 晶体管器件数据表 低压、高性能、中功率表面贴装产品 超低 RDS(on) 和逻辑电平性能

Motorola的TMOS功率MOSFET晶体管设备数据，介绍了WaveFET系列产品的特点和特性，以及适用的应用领域。

WaveFET是一种先进系列的功率MOSFETs，利用Motorola的最新MOSFET技术工艺，实现了每平方硅面积的最低导通电阻。它们能够承受雪崩和换向模式下的高能量，且漏源极二极管具有非常低的反向恢复时间。WaveFET设计用于低压、高速开关应用，功率效率很重要。典型应用包括直流-直流转换器、便携式和电池供电产品的功率管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可以用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品的低压电机控制。雪崩能量已经指定，以消除在开关感性负载时的猜测，并提供额外的安全保证。

摩托罗拉TMOS功率MOSFET晶体管器件数据手册,高密度中功率表面贴装产品

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data是一份介绍Motorola公司中功率MOSFET晶体管设备的文档。该文档详细介绍了WaveFET系列产品的特点和特性，包括超低的RDS(on)值、真正的逻辑电平性能、高能量耐受能力、反向恢复时间极低的漏极-源极二极管等。这些产品适用于低压、高速开关应用，并具有高效能和长电池寿命等优点。文档还提到了这些产品在直流-直流转换器、便携式电池供电产品、低压电机控制等应用中的使用。

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor设备数据中介绍了一系列中功率表面贴装产品的特点和特性。这些产品采用Motorola的High Cell Density HDTMOS工艺，具有超低RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受avalanche和commutation模式下的高能量，并且漏极到源极二极管具有非常低的反向恢复时间。MiniMOS设备设计用于低电压、高速开关应用中，重视功率效率。典型应用包括直流-直流转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可以用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低电压电机控制。文档中还详细介绍了产品的特点和性能。

摩托罗拉tmos功率mosfet晶体管器件数据手册

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data, MiniMOS devices are an advanced series of power MOSFETs which utilize Motorola's High Cell Density HDTMOS process. These miniature surface mount MOSFETs feature ultra low RDS(on) and true logic level performance. They are capable of withstanding high energy in the avalanche and commutation modes and the drain–to–source diode has a very low reverse recovery time. MiniMOS devices are designed for use in low voltage, high speed switching applications where power efficiency is important. Typical applications are dc–dc converters, and power management in portable and battery powered products such as computers, printers, cellular and cordless phones. They can also be used for low voltage motor controls in mass storage products such as disk drives and tape drives. The avalanche energy is specified to eliminate the guesswork in designs where inductive loads are switched and offer additional safety margin against unexpected voltage transients.

MiniMOS 系列 MOSFET 是一种高性能功率器件，具有超低 RDS(on) 和逻辑级栅极驱动能力。该系列产品可用于电源转换应用，如计算机、打印机、手机等。

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data是一份介绍Motorola的TMOS功率MOSFET晶体管设备数据的文档。该文档介绍了MiniMOS系列产品的特点和特性，包括超低的RDS（on）和真正的逻辑电平性能，以及在雪崩和换流模式下能够承受高能量的能力。这些产品设计用于低电压、高速开关应用，适用于电源管理和直流-直流转换器等领域。

FDMC8651是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N通道功率MOSFET，其特点是低阻抗和低门极电阻，适用于DC/DC转换器、同步整流器等应用场合

MiniMOS是一系列先进的功率MOSFET，采用Motorola的高单元密度HDTMOS工艺。这些微型表面贴装MOSFET具有超低的RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受高能量的雪崩和换向模式，并且漏极到源极二极管具有非常低的反向恢复时间。MiniMOS器件设计用于低电压、高速开关应用中，其中功率效率很重要。典型应用包括直流-直流转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可以用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低压电机控制。

Motorola TMOS功率MOSFET晶体管器件数据

FDME1023PZT双P通道功率沟槽MOSFET是一款 -20 V，-2.6 A，142 mΩ 的电源开关，具有低开关导通电阻和低功耗特性。

FDME1024NZT Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款双N通道功率MOSFET，具有20 V、3.8 A、66 mΩ的特性，低功耗，适用于手机等应用。

MiniMOS系列是高性能，低电阻，高可靠性的功率MOSFET产品。

MiniMOS系列采用摩托罗拉的高密度HDTMOS工艺制造，具有超低RDS(on)和真正的逻辑级性能

该文件介绍了FDME1034CZT互补PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括N通道和P通道的最大导通电阻、低轮廓设计、无卤化合物和锑氧化物、静电放电保护等。

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