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更新: 29 September, 2023
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data是一份介绍Motorola的中功率表面贴装产品的文档。这些产品采用Motorola的高电池密度HDTMOS工艺，并包含单片式反向锐利二极管。这些二极管提供了对静电放电和突发电压的保护。这些微型表面贴装MOSFET具有低RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受雪崩和换流模式中的高能量，且漏极-源极二极管具有非常低的反向恢复时间。EZFET器件设计用于低电压、高速开关应用，具有较高的功率效率。
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MD5: 5CF1C1E298251CBFDBB107E71410DD4B
发布时间: 11 July, 2012
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连接: MOTOROLA Semiconductor MMSF10N02Z 数据手册(1) PDF