FAIRCHILD FCP11N60N / FCPF11N60NT 说明书 该文件介绍了 Fairchild 公司的 SupreMOS TM FCP11N60N / FCPF11N60NT N-Channel MOSFET 产品的特点和特性，包括最大电压、最大电流、低电阻等。
FAIRCHILD FCP11N60F/FCPF11N60F 说明书 FCP11N60F/FCPF11N60F 600V N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能MOSFET。它具有低导通电阻（Typ. RDS(on) = 0.32Ω）、快速恢复时间（trr = 120ns）、超低栅极电荷（typ. Qg = 40nC）、低有效输出电容（typ. Cosseff.=95pF）等特点，非常适用于各种AC/DC电源转换。
FAIRCHILD FCH47N60_F133 说明书 SuperFETTM是Fairchild公司的专有高压MOSFET系列的新一代产品，利用先进的电荷平衡机制，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。
FAIRCHILD FCB11N60 说明书 该文档介绍了Fairchild公司生产的FCB11N60 600V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括650V的电压、0.32Ω的RDS(on)、40nC的超低门电荷和95pF的低有效输出电容等。
FAIRCHILD FCA47N60/FCA47N60_F109 说明书 FCH47N60_F133 / FCA47N60 / FCA47N60_F109 600V N-Channel MOSFET 是一款由 Fairchild 推出的高性能 MOSFET 器件，具有极低的导通电阻、超低的栅极电荷以及高耐压性能。这款器件非常适合用于各种 AC/DC 电源转换应用，可实现系统小型化和更高效率。
FAIRCHILD FCA16N60N 说明书 FCA16N60N N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款高性能产品。该产品采用先进的深沟填充工艺，具有超低RDS(on)、超低门极电荷、低有效输出电容等特点。
Allegro ATS610LSC 说明书 ATS610LSC是一种动态、峰值检测、差分霍尔效应齿轮传感器，适用于数字齿轮传感应用。该传感器具有高温塑料外壳，内部集成了优化的霍尔IC、磁铁组件、极板和电压调节器。它可以与各种形状和大小的齿轮或目标配合使用，并且具有较高的抗干扰能力。该传感器适用于使用齿轮齿形配置收集速度、位置和时间信息。它采用霍尔效应技术，包含双元素霍尔IC，能够对铁质目标产生的差分磁信号进行切换。该传感器具有专利的峰值检测电路，可以消除磁铁和系统偏移影响，能够稳定工作在极低的旋转速度下。
FAIRCHILD FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50 说明书 该文件介绍了FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50 产品的特点和特性，适用于开关模式电源供应器，具有低门电荷、改进的门极、阻尼特性和高dv/dt韧性等特点。
FAIRCHILD FDB150N10 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDB150N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品。该产品具有100V的额定电压、57A的额定电流和15mΩ的导通电阻。采用了先进的PowerTrench工艺，以实现更低的导通电阻和优异的开关性能。适用于直流到直流变换器和同步整流等应用。
Allegro ATS612LSB 数据手册 该数据表介绍了ATS612LSB齿轮传感器的特点，包括使用自动增益控制以提供极其准确的齿轮边缘检测，使用差分开集电极霍尔IC，使用高温塑料外壳固定钐钴磁铁、极片和优化到磁路的差分开集电极霍尔IC，小巧的包装可以轻松组装和使用各种齿轮形状和尺寸
Allegro ATS616LSG 说明书 该文件介绍了ATS616LSG-DS型号的动态自校准峰值检测差动霍尔效应齿轮传感器的特点和特性。该传感器具有自校准、紧密的时间精度、首齿检测、对气隙变化和系统偏移的抗干扰能力等特点。
FAIRCHILD FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0 说明书 FDB13AN06A0/FDP13AN06A0 是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道PowerTrench®MOSFET，额定电压60V，额定电流62A，导通电阻13.5mΩ。
FAIRCHILD FDB12N50U 说明书 该产品是一款N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、卓越的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正应用。
FAIRCHILD FDB12N50TM 说明书 该产品是一款N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有、平面条纹、DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和承受高能脉冲的能力。该产品非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FDB12N50F 说明书 该文档介绍了Fairchild公司生产的UniFET TM FDB12N50F N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度、100%的雪崩测试、提高的dv/dt能力等。
FAIRCHILD FDB120N10 说明书 该文档介绍了FDB120N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻，快速开关速度，低门电荷和高功率处理能力等。
FAIRCHILD FDB082N15A 说明书 该数据表是 FDB082N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET 的数据表，该 mosfet 具有 RDS(on) = 6.7mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A，快速开关速度，低栅极电荷，高性能沟槽技术，极低 RDS(on)，高功率和电流处理能力，符合 RoHS 标准。
