Infineon PROFET Data Sheet BTS 443 P 说明书(2) 该数据表介绍了PROFET® BTS 443 P 高 side 功率开关的特性和规格。该开关具有内置的保护功能，包括反向电池保护、短路保护、电流限制、过载保护、过热关断、过电压保护 (包括负载回弹)、电源接地保护和电源 Vbb 保护。该开关还具有快速磁化和静电放电 (ESD) 保护。该开关适用于 12V 和 24 V DC 接地的负载，可替代电气机械继电器、保险丝和离散电路。
INFINEON ITS 4140N 说明书 ITS 4140N 是英飞凌公司生产的一款高侧功率开关，应用于工业应用场景，具有电流控制输入、短路保护、过载保护、过压保护、开关电感负载、负压钳位、热关断、ESD 保护、Gnd 和 Vbb 保护、低待机电流、反向电池保护等特点
INFINEON Wireless Components ASK Single Conversion Receiver TDA 5201 Version 1.5 说明书 TDA 5201是无线组件单转换接收器的技术规格
INFINEON SGP30N60HS SGW30N60HS 说明书 SGP30N60HS SGW30N60HS是英飞凌的一种高压IGBT，该器件采用NPT-技术制造，具有低Eoff、短路耐受时间短、工作频率高等特点。
Infineon PROFET BTS 740S2 说明书 PROFET® BTS 740S2是双通道高侧电源开关，具有诊断反馈和电流感应功能。它具有5.0-34V的操作电压，30mΩ的导通电阻和24A的负载电流限制。
INFINEON BSO094N03S 说明书 BSO094N03S OptiMOS®2 Power-Transistor是一种快速开关的MOSFET，适用于开关电源。它具有优化的技术，适用于笔记本电脑DC/DC转换器。该产品通过JEDEC认证，可以广泛应用于目标应用领域。它是N沟道逻辑电平器件，具有优秀的门电荷×导通电阻（FOM）产品，具有非常低的导通电阻。它的热阻特性优越，具有耐雪崩特性。产品符合无铅镀层和RoHS标准。
INFINEON IPP50R350CP 说明书 IPP50R350CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ON x Qg技术指标、超低的栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力等特点，适用于硬开关和软开关的开关模式电源拓扑结构，以及CCM PFC、PWM等应用领域。
INFINEON SPU07N60S5/SPD07N60S5 说明书 SPU07N60S5和SPD07N60S5是CoolMOS™大功率晶体管，具有600V的电压和0.6Ω的RDS(on)。它们具有世界领先的RDS(on)、极低的门控电荷、极端的dv/dt额定值、极低的有效电容和改进的传导率。
INFINEON IPB50R250CP 说明书 IPB50R250CP CoolMOSTM Power Transistor 是一款低功耗、高性能的功率晶体管，具有最低的 RON x Qg、超低的栅极电荷、极端的dv/dt 额定值、高峰电流能力、无铅铅镀层，符合 RoHS 标准，符合 JEDEC 1) 的目标应用。
INFINEON IPB60R520CP 说明书 IPB60R520CP 是一款 CoolMOSTM 功率晶体管，具有最低的 RON x Qg 比值、超低栅极电荷、极端 dv/dt 额定值、高峰电流能力以及 JEDEC 认证1)、符合 RoHS 标准等特点。
INFINEON IDT10S60C 说明书 IDT10S60C 2nd Generation thinQ!TM SiC Schottky Diode是IDT推出的一款高性能肖特基二极管，具有无反向恢复和无正向恢复特性，无温度影响的开关特性，高浪涌电流能力，铅无铅引线镀层，符合RoHS标准，通过JEDEC1)认证，适用于CCM PFC和电机驱动等高速开关应用。
INFINEON SMBT3904...MMBT3904 说明书 该数据表为SMBT3904.MMBT3904的特性参数，该型号是NPN硅开关晶体管，具有高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压等特点，SMBT3904S / U型号内部有2个绝缘的晶体管，具有良好的匹配性
INFINEON SPW32N50C3 说明书 该文档介绍了SPW32N50C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、超低有效电容、改进的跨导等。
