INFINEON 说明书 - 第17页

INFINEON IPW60R099CP 说明书

IPW60R099CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的固有特性RON x Qg、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力等特点。

IPP50R199CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ON x Qg值，超低的门电荷，极高的dv/dt耐压能力，高峰值电流能力，并且符合RoHS标准。适用于硬开关和软开关的开关电源拓扑结构，以及CCM PFC、PWM等应用。

该文件是关于PMA51xx / PMA71xx RF Transmitter IC的初步ROM库函数指南，介绍了该产品的特点特性，包括嵌入式8051微控制器、LF 125kHz ASK接收器和FSK/ASK 315/434/868/915 MHz发射器。

这是一篇关于C868 8位单片微控制器的数据表

这份文档是关于BTS 5246-2L智能高侧功率开关的技术资料，介绍了产品的特点和特性。

IPB60R199CP CoolMOS TM功率晶体管特点：最低的R ONxQ g值；超低的栅极电荷；极高的dv/dt额定值；高峰值电流能力；符合JEDEC1)的目标应用要求；无铅引线镀层，符合RoHS标准。CoolMOS CP专为硬开关拓扑设计，适用于服务器和电信应用。

CoolMOSTM功率晶体管的特点包括TO220封装中全球最佳的RDS(on)，RON x Qg的最低指标，超低的栅极电荷，极高的dv/dt额定值，高峰值电流能力等。

这是一篇关于TDA 5221 ASK/FSK单转换接收器的文件，详细介绍了该产品的特点特性

该数据表格列出了FP75R12KE3的技术参数，包括最高允许值，如反向峰值关断电压、最大直流集电极电流等

IPW90R120C3是一款CoolMOS™功率晶体管，具有最低的RON x Qg、极端的dv/dt额定值和高峰值电流能力。

SPI15N65C3 CoolMOSTM 功率晶体管具有低栅极电荷、极端 dv/dt 额定值、高峰值电流能力和符合 JEDEC1) 目标应用的合格资质，而且铅免铅镀层符合 RoHS 标准。CoolMOS C3 适用于：笔记本电脑适配器。

1

BSO200N03S OptiMOS®2功率晶体管具有快速开关特性，适用于开关电源。优化的技术使其非常适用于笔记本电脑的DC/DC转换。它是N沟道MOSFET，逻辑电平驱动。具有优秀的门电荷乘以导通电阻的乘积（FOM），非常低的导通电阻，耐avalanche和dv/dt额定值。符合RoHS标准。

该产品是一款高侧功率开关，具有过载保护、电流限制、短路保护、过热关断、过压保护、快速去磁、逆向电池保护、欠压和过压关断、开路诊断输出、开路负载检测、CMOS兼容输入、地线丢失和Vbb丢失保护、静电放电 (ESD) 保护等功能。

SPP15N60CFD CoolMOSTM功率晶体管具有快速恢复体二极管、极低的反向恢复电荷、超低的栅极电荷、极高的极间电压/时间评级、高峰值电流能力等特点，适用于软开关PWM级、LCD和CRT电视等应用。