INFINEON 说明书

INFINEON SPP24N60CFD CoolMOS Power Transistor 说明书

本文件是SPP24N60CFD CoolMOSTM电源晶体管的产品手册，详细介绍了该产品的特性及参数，包括最大电流、最大电压、最大功耗、最大温度等。

INFINEON BSP 373 SIPMOS Small-Signal Transistor 说明书

BSP 373 is a high voltage, high speed, low on-resistance, N-channel power MOSFET. It has a very low gate threshold voltage (VGS(th) = 2.1V to 4.0V) and a high breakdown voltage (V(BR)DSS = 100V). The BSP 373 is suitable for a wide range of applications, including automotive, industrial, and consumer electronics.

INFINEON BAV199... Silicon Low Leakage Diode 说明书

BAV199是一个低漏电二极管，最大反向电压为85V，具有中等速度的开关时间。它可以用于低漏电应用。

INFINEON BAR64... 说明书(1)

BAR64系列是高压电流控制的RF电阻器，适用于RF衰减器和开关。该系列产品具有非常低的反向偏置电容，频率范围在1MHz以上到6GHz，非常适合RF应用

INFINEON BSS87 说明书

BSS87是一款N沟道增强型逻辑级MOS管，最大电压为240V，RDS(on)为6欧姆，连续电流为0.26A，dv/dt为6kV/微秒。

INFINEON SPU03N60S5 SPD03N60S5 说明书

该文件介绍了2005年10月5日发布的Rev. 2.4版本的SPU03N60S5和SPD03N60S5 Cool MOS™功率晶体管。这些晶体管具有新的高压技术、超低门电荷、周期性雪崩额定、极高的dv/dt额定、超低有效电容和改进的跨导等特点。

INFINEON IPB50R199CP 说明书

IPB50R199CP CoolMOSTM Power Transistor 是一款具有最低 RON x Qg、超低栅极电荷、极端 dv/dt 额定值、高峰值电流能力、无铅铅镀层和 RoHS 兼容性的功率晶体管。

INFINEON IPA50R350CP 说明书

IPA50R350CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的R ON x Qg特征，超低门电荷，极高的dv/dt额定值，高峰值电流能力，符合RoHS标准，适用于硬开关和软开关的SMPS拓扑结构，适用于CCM PFC的笔记本适配器、PDP和LCD电视，适用于PWM的笔记本适配器、PDP和LCD电视。

INFINEON SMBT2907A/MMBT2907A 说明书

该文件介绍了2006年3月20日发布的SMBT2907A/MMBT2907A PNP硅开关晶体管的特点和特性，如高直流电流增益、低集电极-发射极饱和电压等。同时还提供了最大额定值、热阻、电气特性等详细信息。

INFINEON SPW20N60CFD 说明书

SPW20N60CFD是一款新型高压功率晶体管，具有极低的门极电荷、周期性雪崩额定值、极端dv/dt额定值、高峰值电流能力、内置快速恢复体二极管和极低的反向恢复电荷。

INFINEON SPP80N06S2L-07 SPB80N06S2L-07 说明书

本文件为SPP80N06S2L-07和SPB80N06S2L-07的特性参数表，包括电压、电流、功率、温度、封装等信息。

INFINEON IPD90R1K2C3 说明书

IPD90R1K2C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的 RON x Qg 比值、极端的 dv/dt 额定值、高峰值电流能力，并根据 JEDEC1) 针对目标应用进行认证。该器件符合 RoHS 标准，且无铅。

INFINEON BUZ 31 说明书

该文档介绍了SIPMOS®功率晶体管的特点和特性，包括N沟道、增强型、耐电击等特点。

INFINEON IPA60R199CP 说明书

ipa60r199cp是一款功率晶体管，具有超低门极电荷、极端dv/dt额定值和高峰值电流能力等特点。

INFINEON SPP04N80C3 SPA04N80C3 说明书

SPP04N80C3 is a high voltage power transistor with ultra low gate charge, periodic avalanche rated, extreme dv/dt rated, ultra low effective capacitances and improved transconductance. It is available in PG-TO220 package.