Infineon SMBD914/MMBD914... 数据手册 SMBD914/MMBD914 是安森美半导体旗下的肖特基二极管，它具有高击穿电压和低反向电流，适用于高频开关应用。最大额定反向电压为100伏，最大额定正向电流为250毫安。
Infineon SMBD7000/MMBD7000... 数据手册 SMBD7000/MMBD7000是一款用于高速开关应用的硅开关二极管阵列。它具有反向电压为100V，峰值反向电压为100V，正向电流为200mA的特点。
Infineon IPB80N08S2-07 IPP80N08S2-07, IPI80N08S2-07 说明书 该产品是一款N-通道增强型电力晶体管，具有汽车AEC Q101认证、MSL1高温回流焊、175°C工作温度、绿色环保包装等特点
Infineon IPB77N06S3-09 IPI77N06S3-09, IPP77N06S3-09 说明书 IPB77N06S3-09 IPI77N06S3-09, IPP77N06S3-09 OptiMOS®-T功率晶体管具有低导通电阻、汽车AEC Q101认证、高温耐受等特点。
Infineon IPP15N03L IPB15N03L 说明书 IPB15N03L 是 N 通道低阻抗功率 MOS 晶体管，额定漏极电压为 30 V，最大导通电阻为 12.6 mΩ，适用于快速切换降压转换器
Infineon IPB14N03LA/IPI14N03LA/IPP14N03LA 说明书(1) IPB14N03LA IPI14N03LA, IPP14N03LA 是理想用于高频 dc/dc 转换器的 N 沟道逻辑电平功率晶体管，具有优异的门极电荷 x R DS(on) 积分 (FOM)、极低的导通电阻 R DS(on) 、优越的热阻和 175 °C 的操作温度。
Infineon IPP10N03L IPB10N03L 说明书 IPB10N03L是英飞凌公司生产的一款N沟道逻辑级低压开关器件，其特点是低导通电阻、优异的门级电荷乘以导通电阻乘积（FOM）、优异的热阻、175°C工作温度、雪崩额定、dv/dt额定，适用于快速开关的降压转换器。
Infineon IPB14N03LA/IPI14N03LA/IPP14N03LA 说明书(1) 该文档介绍了IPB09N03LA、IPI09N03LA和IPP09N03LA OptiMOS®2功率晶体管的特点，包括适用于高频率DC/DC转换器、N通道、逻辑电平、优异的栅极电荷与导通电阻乘积、非常低的导通电阻、优良的热阻、175°C的工作温度和dv/dt额定值等。
Infineon IPB08CN10N G IPI08CN10N G IPP08CN10N G 说明书 IPB08CN10N G IPI08CN10N G IPP08CN10N G OptiMOS®2 功率晶体管的特性包括 N 通道、正常电平、优异的栅极电荷 x R DS(on) 乘积 (FOM)、极低的开关电阻 R DS(on)、175 °C 的操作温度、无铅焊锡镀层；符合 RoHS 标准、根据 JEDEC1) 针对目标应用而认证，非常适合用于高频开关和同步整流。
Infineon IPP07N03L IPB07N03L 说明书 该文件介绍了2002年10月17日发布的IPP07N03L和IPB07N03L OptiMOS Buck转换器系列产品的特点和特性。这些产品是N型逻辑电平场效应晶体管，具有低导通电阻、优异的门电荷x导通电阻乘积、卓越的热阻、175°C的工作温度、耐雪崩和耐dv/dt能力，适用于快速开关降压变换器。
Infineon IPB05N03LA IPI05N03LA, IPP05N03LA 说明书 该文档介绍了IPB05N03LA、IPI05N03LA和IPP05N03LA OptiMOS®2功率晶体管的特点和特性，包括适用于高频率DC/DC转换器、优秀的栅极电荷x R DS(on)产品、极低的导通电阻、优异的热阻、175°C工作温度等。
Infineon IPB04N03LA IPI04N03LA, IPP04N03LA 说明书 IPB04N03LA是英飞凌公司推出的一款N沟道功率MOS管，其特点是具有高频率dc/dc转换器、逻辑电平、极低的开关电阻、优异的热阻等。
