INFINEON IPI90R800C3 说明书 IPI90R800C3 CoolMOS™ Power Transistor是用于Quasi Resonant Flyback / Forward topologies，PC Silverbox和 consumer applications 以及 Industrial SMPS应用的低RONxQg，极端dv/dt额定，高峰电流能力，符合JEDEC1）的目标应用，铅免铅镀层；RoHS兼容，超低门控电荷产品。
INFINEON IPB60R165CP 说明书 IPB60R165CP CoolMOS® Power Transistor 是一款低RONxQg、低门极电荷、高dv/dt额定值、高峰值电流能力、符合JEDEC1）目标应用的铅免铅镀层、RoHS兼容的产品。
INFINEON BSM 10 GD 120 DN2 说明书 BSM 10 GD 120 DN2是英飞凌的一款功率模块，包括快恢复二极管，封装方式为ECONOPACK 2K，最大电压为1200V，最大电流为15A。
INFINEON Wireless Components ASK/FSK Single Conversion Receiver TDA 5211 Version 2.0 说明书 该文件是关于TDA 5211的规格说明
INFINEON IPB50R140CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPB50R140CP CoolMOSTM Power Transistor 是一种高性能功率晶体管，具有最低的 RON x Qg、超低栅极电荷、极限 dv/dt 额定值、高峰值电流能力、无铅焊锡和 RoHS 兼容性。它设计用于以下应用：硬开关和软开关 SMPS 拓扑、CCM PFC 用于 ATX 笔记本电脑适配器、PDP 和 LCD TV、PWM 用于 ATX、笔记本电脑适配器、PDP 和 LCD TV。
INFINEON IDT06S60C 2 nd generation thinQ! SiC Schottky Diode 说明书 IDT06S60C 是IDT 的一种2A 600V 的肖特基二极管，其特点是开关行为卓越，无反向恢复/无正向恢复，无温度影响开关行为，高浪涌电流能力，无铅铅镀层，RoHS 兼容，符合 JEDEC 1) 的目标应用，击穿电压在 5mA2) 下测试。该二极管专门设计用于快速开关应用，如 CCM PFC 和电机驱动。
INFINEON SPW17N80C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 该文件介绍了SPW17N80C3 Cool MOS™功率晶体管的特点，包括新的高压技术、TO 247封装中全球最佳RDS(on)、超低栅极电荷、周期性雪崩额定和极高的dv/dt额定。
INFINEON IPI60R299CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPI60R299CP CoolMOSTM 功率晶体管具有最低的 RONxQg、超低栅极电荷、极端的 dv/dt 额定值和高峰值电流能力。
INFINEON BC846...BC850 NPN Silicon AF Transistors 说明书 BC846, BC850是NPN型硅AF晶体管，主要应用于AF输入级和驱动器应用，具有高电流增益、低集电极-发射极饱和电压、30Hz至15kHz之间的低噪声等特点
INFINEON SPP12N50C3/SPI12N50C3/SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 该数据表提供了SPP12N50C3, SPI12N50C3, SPA12N50C3的参数信息，包括最大电压、电流、功耗、温度等。
INFINEON PROFET ITS 716G 说明书 PROFET® ITS 716G是英飞凌的Smart High-Side Power Switch For Industrial Applications产品，特点是具有4个40V/140mΩ的状态反馈通道，应用于负载电压为12V/24V的工业应用中。
INFINEON BAS40.../BAS140W Silicon Schottky Diode 说明书 BAS40./BAS140W是安森美半导体生产的一款硅肖特基二极管，主要应用于高压快速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频等场景。
INFINEON BUZ 73AL SIPMOS Power Transistor 说明书 该数据表详细介绍了BUZ 73 AL SIPMOS ®功率晶体管的特性。该晶体管具有N沟道、增强型、雪崩额定和逻辑电平功能。它具有200V的最大沟道-源击穿电压、5.5A的连续漏极电流和0.6Ω的漏极-源导通电阻。
