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INFINEON BCR523 说明书

BCR523是一款NPN硅数字晶体管，适用于开关电路、反相器、接口电路和驱动电路。它具有内置的偏置电阻（R1=1kΩ，R2=10kΩ）。

该产品是一款高压MOS功率晶体管，具有非常低的RDS(on)和极低的电容，以及极高的dv/dt能力和极低的门极电荷。

该文件介绍了2006年1月13日发布的BAW56硅开关二极管的特点和特性。该二极管适用于高速开关应用，具有常用阳极配置。具体型号包括BAW56S、BAW56U、BAW56T和BAW56W。

IPI90R500C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的RON x Qg，极端的dv/dt额定值，高峰电流能力，根据JEDEC1)目标应用认证，无铅引线镀锡，RoHS兼容，超低门极电荷。

本文件是关于BSS84P SIPMOS Small-Signal-Transistor的产品摘要，包括产品特点、型号、最大额定值、电气特性等信息。

SPB11N60S5是一款功率晶体管，其最大电压为600伏，电阻为0.38欧姆，电流为11安培。该产品具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极端dv/dt额定值、超低有效电容和改进的传导率等特点。

SKW20N60是英飞凌的一种600V、20A的IGBT产品，采用NPT技术，具有软、快速恢复的反并联EmCon二极管。与上一代产品相比，其Eoff降低了75%，同时导通损耗也较低。该产品适用于电机控制和逆变器等应用。

IPA90R800C3 CoolMOS™ 功率晶体管具有最低的RON x Qg 和极端的dv/dt 额定值，以及高峰电流能力。它符合 JEDEC1) 对目标应用的资格，并且不含铅，符合 RoHS 标准。

IDT05S60C是第二代thinQ!TM SiC Schottky二极管，采用硅碳化物半导体材料，具有革命性的特点和特性，如开关行为基准、无反向恢复/正向恢复、开关行为不受温度影响、高浪涌电流能力等。适用于快速开关应用，如CCM PFC和电机驱动等。

SPW11N60CFD是一款高压功率晶体管，具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰值电流能力、固有快速恢复体二极管和极低的反向恢复电荷。

BUZ 73L 是一种N沟道增强型雪崩额定逻辑级功率晶体管，其最大额定值为200V，持续电流为7A，导通电阻为0.4 欧姆。

IPI60R250CP 是 CoolMOSTM 功率晶体管，具有最低的 RONxQg 比值、超低的栅极电荷、极端的 dv/dt 额定值、高峰值电流能力，符合 JEDEC1) 的目标应用要求，并且采用无铅铅镀层，符合 RoHS 标准。

PROFET® BTS612N1是一款双通道高侧电源开关，具有过载保护、电流限制、短路保护、过温保护、过压保护、快速消磁、反向电池保护等特点。

该数据表是英飞凌IKW30N60T产品的参数表，包括额定电压、额定电流、开关频率、封装类型、最大工作温度等信息。

SPP07N60S5和SPI07N60S5是Cool MOS™大功率晶体管，其特点是新颖的革命性高压技术，全球最小的RDS(on)在TO-220封装中，超低栅极电荷，周期性雪崩额定，极限dv/dt额定，超低有效电容，改进的传导率。