INFINEON 说明书

INFINEON BTS 5242-2L 说明书

本资料为BTS 5242-2L智能高侧功率开关的目标数据手册，详细介绍了该产品的特点特性。

INFINEON FP50R12KE3 使用说明书

这是FP50R12KE3模块的技术信息，包括电气特性、最高允许值、晶体管和二极管的参数。

INFINEON BFR182W 说明书

BFR182W是一款NPN硅射频晶体管，适用于低噪声、高增益的宽带放大器，集电极电流范围为1mA到20mA，具有8GHz的频率特性和1.2dB的增益特性。

INFINEON XC866 说明书(1)

XC866 8-Bit Single-Chip Microcontroller是英飞凌科技公司于2006年12月发布的，包含产品的特点特性，供相关人员参考。

INFINEON BAS70... / BAS170W 说明书

该文档介绍了2006年发布的BAS70系列硅肖特基二极管的特点和特性，包括用途、封装类型、最大额定值等。

INFINEON ICE2A0565/165/265/365 ICE2B0565/165/265/365 ICE2A0565Z ICE2A180Z/280Z ICE2A765I/2B765I ICE2A765P2/ICE2B765P2 说明书

该文档介绍了CoolSET-F2系列以及ICE2A0565/165/265/365、ICE2B0565/165/265/365、ICE2A0565Z、ICE2A180Z/280Z、ICE2A765I/2B765I、ICE2A765P2/ICE2B765P2等型号的特点和特性。

INFINEON IGP03N120H2/IGW03N120H2 说明书

IGP03N120H2 IGW03N120H2 高性能 IGBT 晶体管，具有 1200V 额定电压和 3A 额定电流。该 IGBT 晶体管采用 Infineon 的高性能 HighSpeed2 技术，具有优异的开关性能和温度稳定性。适用于各种功率转换应用，例如 SMPS、灯具镇流器和 ZVS 转换器。

INFINEON BCV61 说明书

该文件介绍了BCV61型号的NPN硅双晶体管，可用作电流镜，具有良好的热耦合和VBE匹配，高电流增益和低集电极-发射极饱和电压。

INFINEON ITS436L2 说明书

PROFET® ITS436L2是一款用于工业应用的高侧功率开关，内置过流保护、过压保护、短路保护、过温保护等保护功能。

INFINEON BSM 100 GD 120 DN2 说明书

BSM 100 GD 120 DN2是英飞凌的IGBT功率模块，其最大集电极-发射极电压为1200V，最大集电极电流为150A。

INFINEON PMA7110 说明书

该文件介绍了PMA7110 RF发射器IC，具有内置的8051微控制器，LF 125kHz ASK接收器和FSK/ASK 315/434/868/915 MHz发射器。它描述了该产品的特点和特性。

INFINEON IPP60R099CP 说明书

IPP60R099CP CoolMOSTM功率晶体管的特点包括：全球最佳Rds,on在TO220封装中、超低栅极电荷、极高的dv/dt额定值、高峰值电流能力等。

INFINEON SPB21N50C3 说明书

该数据表格提供了SPB21N50C3 Cool MOS™ Power Transistor产品的最大额定值、热特性、封装类型、封装尺寸、引脚排列、用途等信息

INFINEON BAR66... 说明书

BAR66 是 ST 公司生产的一种硅 PIN 二极管阵列，用于过压防护。其最大反向电压为 150V，最大正向电流为 200mA，最大功率为 250mW，工作温度范围为 -55 至 125 度。

INFINEON IPW60R165CP 说明书

IPW60R165CP CoolMOSTM功率晶体管的特点包括最低的R ON x Q g，超低的栅极电荷，极高的dv/dt额定值，高峰值电流能力，符合JEDEC1）的目标应用要求，无铅铅镀层，符合RoHS标准。CoolMOS CP专门设计用于服务器和电信的硬开关拓扑。