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该数据表详细介绍了BUZ 73 AL SIPMOS ®功率晶体管的特性。该晶体管具有N沟道、增强型、雪崩额定和逻辑电平功能。它具有200V的最大沟道-源击穿电压、5.5A的连续漏极电流和0.6Ω的漏极-源导通电阻。