FAIRCHILD FDC5614P 说明书 FDC5614P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET，是由Fairchild公司生产的使用Fairchild的高压PowerTrench工艺制造的60V P-Channel MOSFET，该器件经过优化，可用于电源管理应用。
FAIRCHILD FDC604P 说明书 该文档介绍了FDC604P型号的P-Channel MOSFET，采用低压PowerTrench工艺，适用于电池电源管理应用。具有-5.5A，-20V的特性，快速切换速度，极低的RDS(ON)等特点。
FAIRCHILD FDC608PZ 说明书 FDC608PZ P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET 是一款由Fairchild Semiconductor制造的高性能MOSFET器件，采用先进的PowerTrench工艺，具有低阻态电阻和低栅极电荷，适用于电池供电应用。
FAIRCHILD FDC610PZ 说明书 FDC610PZ是Fairchild Semiconductor Corporation生产的P通道PowerTrench®MOSFET，它具有极低的导通电阻和低栅极电荷，适用于电池供电应用，如负载切换和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDC6302P 说明书 FDC6302P是Fairchild的双P通道数字场效应晶体管，其最大耗散功率为0.9瓦，工作温度范围为-55至150℃。该器件适用于低压应用，可替代负载开关应用中的数字晶体管。
FAIRCHILD FDC6303N 说明书 FDC6303N是双N沟道逻辑级增强型场效应晶体管，采用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术制造，具有很低的导通电阻。该器件专为低压应用而设计，可替代负载开关应用中的数字晶体管。由于不需要偏置电阻，这种N沟道FET可以替代具有不同偏置电阻的多个数字晶体管。
FAIRCHILD FDC6304P 说明书 该文件介绍了1997年7月生产的FDC6304P数字FET双P通道晶体管的特点和绝对最大额定值，包括电压、电流、功耗、温度等参数。该产品采用了高密度DMOS工艺，具有低电压驱动、低导通电阻、ESD抗干扰等特点，适用于笔记本电脑和手机等电池供电应用。
FAIRCHILD FDC6305N 说明书 FDC6305N是Fairchild Semiconductor的双N通道2.5V指定PowerTrench MOSFET，具有低门极电荷、高开关速度和极低的RDS(ON)。
FAIRCHILD FDC6306P 说明书 fdc6306p是fairchild semiconductor公司生产的一款p通道2.5v指定mosfet，采用了fairchild semiconductor的先进的powertrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于负载开关、电池保护和电源管理等应用。
FAIRCHILD FDC6310P 说明书 FDC6310P是Fairchild Semiconductor Corporation生产的双P通道2.5V规格PowerTrench MOSFET，其特点是低导通电阻和低栅极电荷，适用于负载开关、电池保护和电源管理等应用。
FAIRCHILD FDC6312P 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDC6312P双P通道1.8V指定MOSFET。该产品采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺生产，旨在最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷以实现卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDC6318P 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司的FDC6318P双路P通道1.8V PowerTrench MOSFET。该产品采用先进的PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷，从而实现了卓越的开关性能。
