FAIRCHILD FDB039N06 说明书 该PDF文件是关于FDB039N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET的数据手册。该MOSFET具有低导通电阻、快开关速度和低门极电荷，适用于DC/DC转换器和同步整流器等应用。
FAIRCHILD FDB047N10 说明书 FDB047N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N型通道功率MOSFET，具有低RDS(on)、高开关速度、低栅极电荷等特点，应用于DC到DC转换器和同步整流等场景。
FAIRCHILD FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDB050AN06A0 / FDP050AN06A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括60V的漏极到源极电压，80A的漏极电流，5mΩ的漏极-源极电阻，以及低Miller电荷和低QRR二极管。
FAIRCHILD FDB060AN08A0 / FDP060AN08A0 说明书 该数据手册提供了FDB060AN08A0 / FDP060AN08A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特性，包括额定电压、额定电流、漏源电阻、门源电压、栅极到源极电压等。
FAIRCHILD FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0 说明书 FDB070AN06A0 / FDP070AN06A0 是N通道PowerTrench® MOSFET，额定电压为60 V，额定电流为80 A，典型导通电阻为7mΩ。
FAIRCHILD FDP075N15A / FDB075N15A 说明书 FDP075N15A_F102 / FDB075N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款高性能MOSFET器件，具有低RDS(on)、低门极电容、高电流处理能力等特点。
FAIRCHILD FDB082N15A 说明书 该数据表是 FDB082N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET 的数据表，该 mosfet 具有 RDS(on) = 6.7mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A，快速开关速度，低栅极电荷，高性能沟槽技术，极低 RDS(on)，高功率和电流处理能力，符合 RoHS 标准。
FAIRCHILD FDB088N08 说明书 FDB088N08 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(on)、高开关速度、高耐压、高电流的产品，适用于DC/DC转换器和同步整流应用场合。
FAIRCHILD FDB120N10 说明书 该文档介绍了FDB120N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻，快速开关速度，低门电荷和高功率处理能力等。
FAIRCHILD FDB12N50F 说明书 该文档介绍了Fairchild公司生产的UniFET TM FDB12N50F N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度、100%的雪崩测试、提高的dv/dt能力等。
FAIRCHILD FDB12N50TM 说明书 该产品是一款N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有、平面条纹、DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和承受高能脉冲的能力。该产品非常适合高效开关模式电源和有源功率因数校正。
FAIRCHILD FDB12N50U 说明书 该产品是一款N通道增强型功率场效应晶体管，采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术制造，具有低导通电阻、卓越的开关性能、高能脉冲承受能力，适用于高效开关模式电源和有源功率因数校正应用。
FAIRCHILD FDB13AN06A0 / FDP13AN06A0 说明书 FDB13AN06A0/FDP13AN06A0 是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道PowerTrench®MOSFET，额定电压60V，额定电流62A，导通电阻13.5mΩ。
