Fairchild 说明书

FAIRCHILD FDC8601 说明书

FDC8601是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道功率MOSFET，具有极低的rDS(on)、高功率和电流处理能力，广泛应用于负载开关、同步整流器和主开关等电路。

FAIRCHILD FDC8602 说明书

FDC8602是Fairchild Semiconductor生产的一款双N通道PowerTrench MOSFET，具有极低的RDS(on)，高功率和电流处理能力，适用于负载开关和同步整流应用。

FAIRCHILD FDC86244 说明书

FDC86244 N 通道 Power Trench® MOSFET 是一款高性能功率 MOSFET ，具有极低的 rDS(on) ，可实现高速切换，适用于负载开关、同步整流器和主开关等应用

FAIRCHILD FDC8878 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册

该文档介绍了FDC8878 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、快速开关速度等。

FAIRCHILD FDC8884 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册

该文档介绍了FDC8884 N-Channel Power Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、快速开关速度等。

FAIRCHILD FDC8886 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册

FDC8886是Fairchild Semiconductor生产的一种高性能N沟道功率MOSFET，其最大导通电阻为23mΩ，可实现快速开关速度。

FAIRCHILD FDD050N03B N-Channel PowerTrench78 MOSFET 数据手册

该文档介绍了FDD050N03B N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关速度、低栅电荷、高功率和电流处理能力等。

FAIRCHILD FDD10AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm 数据手册

该文件介绍了FDD10AN06A0 N-沟道功率MOSFET的特点和特性，包括其电阻、电荷和耐压等参数。

FAIRCHILD FDD10N20LZ N-Channel MOSFET 数据手册

FDD10N20LZ是Fairchild公司生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为200V，最大电流为7.6A。该产品具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和RoHS合规性等特点。

FAIRCHILD FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 150V, 14A, 120mOhm 数据手册

FDP120AN15A0 / FDD120AN15A0 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 14A, 120mΩ 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一种低漏电流、低导通电阻、高耐压、高耐温的N沟道MOSFET，适用于DC/DC Converters和Off-line UPS、Distributed Power Architectures和VRMs、Primary Switch for 24V and 48V Systems、High Voltage Synchronous Rectifier、Direct Injection / Diesel Injection Systems、Electronic Valve Train Systems等应用场景。

FAIRCHILD FDD16AN08A0 N-Channel UltraFET Trench MOSFET 75V, 50A, 13mOhm 数据手册

FDD16AN08A0是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道超级沟槽MOSFET，其特点是Rds(on)为13mOhm(典型值)，Vgs为10V，ID为50A，Qg(tot)为31nC(典型值)，Vgs为10V，低Miller充电，低Qrr体二极管，UIS能力(单脉冲和重复脉冲)，合格AEC Q101，以前为开发型82660。应用包括42V汽车负载控制、起动/交流发电机系统、电子动力转向系统、电子气门杆系统、DC-DC转换器和离线UPS、分布式电源体系结构和VRM、24V和48V系统的主开关。