FAIRCHILD FCB20N60F 说明书 FCB20N60F是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款600V N-CHANNEL FRFET，最大特点是具有极低的导通电阻Rds(on)=0.15�，快恢复时间trr = 160ns，低输出电容Coss.eff=165pF，100% avalanche tested。
FAIRCHILD FCB36N60N 说明书 这是一款由Fairchild制造的FCB36N60N N通道MOSFET，额定电压为600V，额定电流为36A，额定电阻为90mΩ。其特点包括：RDS(on) = 81mΩ（典型值）@ VGS = 10V，ID = 18A；超低门极电荷（典型值为Qg = 86nC）；低有效输出电容；100%雪崩测试；RoHS 兼容。
FAIRCHILD FCD5N60/FCU5N60 说明书 FCD5N60/FCU5N60是fairchild公司生产的一款600V N沟道MOSFET，具有低RDS(on)、低门极电荷和低输出电容等特点。
FAIRCHILD FCD7N60/FCU7N60 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的FCD7N60/FCU7N60 600V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括超低门电荷、低输出电容和高电压容忍能力。
FAIRCHILD FCD9N60NTM 说明书 FCD9N60NTM N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385mΩ 是一款由 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的 MOSFET 产品，该产品采用深沟填充工艺，具有 RDS(on) = 0.330Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A、超低栅极电荷 (Typ.Qg = 17.8nC)、低有效输出电容等特点，符合 RoHS 标准。
FAIRCHILD FCH47N60_F133 说明书 SuperFETTM是Fairchild公司的专有高压MOSFET系列的新一代产品，利用先进的电荷平衡机制，具有出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。
FAIRCHILD FCH47N60NF 说明书 FCH47N60NF是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款600V N-Channel MOSFET，具有RDS(on) = 57.5mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 23.5A, Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 121nC), Low Effective Output Capacitance，100% Avalanche Tested，RoHS Compliant等特性
FAIRCHILD FCH76N60N 说明书 FCH76N60N 600V N-Channel MOSFET 是 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的一款高性能 MOSFET 产品，采用了深槽填充工艺，具有 600V 的最大电压、36mΩ 的导通电阻，100% 的雪崩测试和 RoHS 认证。
FAIRCHILD FCH76N60NF 说明书 FCH76N60NF是Fairchild公司的600V N沟道MOSFET，采用FRFET技术，具有低导通电阻、低栅极电荷、低有效输出电容等特点，通过100%的雪崩测试，符合RoHS标准。
