FAIRCHILD FDD306P 说明书 FDD306P P-Channel 1.8V Specified PowerTrench ® MOSFET 是一款高性能低电压功率晶体管，具有极低的导通电阻（R DS(ON) = 28 m Ω @ V GS = –4.5 V），可用于 DC/DC 转换器等应用
FAIRCHILD FDD3510H 说明书 FDD3510H是Fairchild Semiconductor生产的双N和P通道增强型功率MOSFET，采用了该公司先进的PowerTrench®工艺，该工艺专门针对最小化开关状态电阻而设计，同时仍能保持卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDD3670 说明书 该产品是一款100V N-Channel PowerTrench MOSFET，额定电流为34A，额定开关电压为100V，门极电压为±20V，开关速度快，门极电荷低，具有高功率和电流处理能力。
FAIRCHILD FDD3680 说明书 该文件介绍了FDD3680型号的N沟道功率MOSFET，该器件专为提高直流/直流转换器的整体效率而设计。它具有更快的开关速度和更低的门电荷，比其他具有相似RDS(ON)规格的MOSFET更容易和更安全驱动（甚至在非常高的频率下）。通过使用这种MOSFET，可以设计具有更高整体效率的直流/直流电源。
FAIRCHILD FDD3682 说明书 FDD3682 是 Fairchild Semiconductor 生产的一款 N 通道 MOSFET，具有 100V 的最大电压、32A 的最大电流和 36mΩ 的典型导通电阻。该产品采用 PowerTrench 技术，具有低米勒电荷和低 QRR 体二极管特性，通过了 AEC Q101 认证，适用于 DC/DC 转换器和离线 UPS、分布式电源架构和 VRM、24V 和 48V 系统的主开关、高压同步整流器、直接喷射/柴油喷射系统、42V 汽车负载控制和电子凸轮轴系统等应用。
FAIRCHILD FDD3690 说明书 该文档介绍了FDD3690型号的N沟道功率MOSFET，该器件专为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，具有更快的开关速度和更低的门电荷。它适用于同步或传统开关PWM控制器。该MOSFET易于驱动，即使在非常高的频率下也更安全，并且具有更高的整体效率。
FAIRCHILD FDD3706/FDU3706 说明书 FDD3706/FDU3706是Fairchild Semiconductor Corp.推出的一款N沟道MOSFET，该器件具有低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度等特点，适用于DC/DC转换器和电机驱动等应用
FAIRCHILD FDD3860 说明书 FDD3860是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N沟道MOSFET，具有极低的导通电阻，并且通过了100%的UIL测试，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDD390N15A 说明书 FDD390N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET，是Fairchild Semiconductor生产的一种N沟道MOSFET，采用先进的PowerTrench工艺，具有低RDS(on)和高开关速度等特点。
FAIRCHILD FDD390N15ALZ 说明书 FDD390N15ALZ是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道MOSFET，其最大额定电压为150V，最大连续电流为26A，开关速度快，门极电荷低，具有高性能、低RDS(on)、高功率和电流处理能力。
FAIRCHILD FDB2614 说明书 FDB2614是一款200V N通道功率Trench MOSFET，采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，特别定制以最大限度地减少开关状态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDB2710 说明书 该文件介绍了FDB2710 250V N-Channel PowerTrench MOSFET的特点和特性，采用了先进的PowerTrench工艺，具有低导通电阻和优异的开关性能。
FAIRCHILD FDB28N30 说明书 该文件介绍了FDB28N30 N-Channel MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、低栅极电荷、快速开关速度、100%的雪崩测试以及改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FDB33N25/FDI33N25 说明书 该文档介绍了FDB33N25 / FDI33N25型250V N-Channel MOSFET的特点，包括33A的电流、250V的电压、低门电荷和低Crss等特性。
