FAIRCHILD FDB3502 说明书 该PDF文件是关于FDB3502 N-Channel Power Trench® MOSFET的产品手册，该产品具有Max rDS(on) = 47mΩ at VGS = 10V, ID = 6A，100% UIL Tested，RoHS Compliant等特点
FAIRCHILD FDB3632 / FDP3632 / FDI3632/FDH3632 说明书 FDB3632/FDP3632/FDI3632/FDH3632是N通道PowerTrench®MOSFET，额定电压100V，额定电流80A，典型导通电阻7.5mΩ。
FAIRCHILD FDB3682 / FDP3682 说明书 该文档介绍了FDB3682 / FDP3682 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括其低电阻、低Miller电荷、低QRR体二极管、UIS能力以及适用的应用领域。
FAIRCHILD FDB390N15A 说明书 FDB390N15A N-Channel PowerTrench® MOSFET 数据表，该器件具有低RDS(on)、快速开关速度、低栅极电荷、高性能沟槽技术，可用于DC到DC转换器、同步整流器等场合
FAIRCHILD FDB44N25 说明书 FDB44N25是Fairchild生产的250V N-Channel MOSFET，具有44A的额定电流、0.069Ω的RDS(on)，低门极电荷和Crss，快速开关，100%的雪崩测试，以及改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FDB52N20 说明书 FDB52N20是一款200V的N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)=0.049Ω@VGS=10V，低栅极电荷（典型值为49 nC），低Crss（典型值为66 pF），快速开关，100%雪崩测试，改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FDB5800 说明书 该文件介绍了FDB5800 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的特点和特性。该产品具有低Rdson、低门电荷、高功率和电流处理能力等特点，适用于电机/负载控制、ABS系统、动力传动管理、喷油系统、DC-DC转换器和离线UPS等应用。
FAIRCHILD FDP6030L/FDB6030L 说明书 FDP6030L/FDB6030L N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款逻辑级MOSFET，具有快速开关和低门控电荷的特点，并且在高温下工作仍然稳定可靠。
FAIRCHILD FDP6670AL/FDB6670AL 说明书 这是一份关于FDP6670AL/FDB6670AL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET的文件。该产品是为了提高直流/直流转换器的效率而设计的，可用于同步或传统开关PWM控制器。该MOSFET具有更快的开关速度和较低的栅极电荷，比其他具有相似RDS(ON)规格的MOSFET更容易和安全驱动（即使在非常高的频率下），并且具有更高的整体效率。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
FAIRCHILD FDP7030BL/FDB7030BL 说明书 这是一份关于FDP7030BL/FDB7030BL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET的文件。该产品针对使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器，旨在提高整体效率。该MOSFET具有更快的开关速度和较低的栅极电荷，相比具有相似RDS(ON)规格的其他MOSFET，更容易且更安全地驱动（即使在非常高的频率下），并且具有更高的整体效率。它经过优化，具有低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度。
FAIRCHILD FDP8030L/FDB8030L 说明书 该数据手册详细介绍了FDP8030L/FDB8030L N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 的特点特性。
FAIRCHILD FDB8443 说明书 FDB8443 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款40V，182A，3.0mΩ的功率MOSFET，具有低Miller Charge、低Qrr Body Diode、UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)等特点。
