FAIRCHILD FDB150N10 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDB150N10 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品。该产品具有100V的额定电压、57A的额定电流和15mΩ的导通电阻。采用了先进的PowerTrench工艺，以实现更低的导通电阻和优异的开关性能。适用于直流到直流变换器和同步整流等应用。
FAIRCHILD FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50 说明书 该文件介绍了FDH15N50 / FDP15N50 / FDB15N50 产品的特点和特性，适用于开关模式电源供应器，具有低门电荷、改进的门极、阻尼特性和高dv/dt韧性等特点。
FAIRCHILD FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 说明书 FDB2532 / FDP2532 / FDI2532 N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 79A, 16mΩ 是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款低阻抗功率MOSFET，具有低米勒电荷、低QRR体二极管、UIS能力（单脉冲和重复脉冲）等特点。
FAIRCHILD FDB2552 / FDP2552 说明书 FDB2552 / FDP2552 是一款 N 通道 PowerTrench® MOSFET，具有 150V、37A 和 36mΩ 的特性。它具有低 Miller 充电、低 QRR 体二极管和 UIS 能力 (单脉冲和重复脉冲)。
FAIRCHILD FDB2572 / FDP2572 说明书 该文件介绍了一种Fairchild Semiconductor Corporation生产的N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 29A, 54mΩ产品的特点和特性。
FAIRCHILD FCA16N60N 说明书 FCA16N60N N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款高性能产品。该产品采用先进的深沟填充工艺，具有超低RDS(on)、超低门极电荷、低有效输出电容等特点。
FAIRCHILD FCA20N60F 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FCA20N60F 600V N-CHANNEL FRFET产品的特点特性，包括650V的工作电压、低导通电阻、快速恢复类型、超低门电荷、低有效输出电容等。
FAIRCHILD FCA35N60 说明书 FCA35N60 600V N 通道 MOSFET 是一款由 Fairchild 公司研发的新型高压 MOSFET 产品，具有 650V 的最大耐压、 0.079Ω 的低导通电阻和 340pF 的低输出电容等特点。
FAIRCHILD FCA36N60NF 说明书 该文件介绍了FCA36N60NF N-Channel MOSFET, FRFET产品的特点和特性，包括其低导通电阻、超低栅极电荷、低输出电容、100%的雪崩测试等。该产品适用于AC-DC SMPS、PFC、服务器/电信电源、FPD电视电源、ATX电源和工业电源等应用。
FAIRCHILD FCA47N60/FCA47N60_F109 说明书 FCH47N60_F133 / FCA47N60 / FCA47N60_F109 600V N-Channel MOSFET 是一款由 Fairchild 推出的高性能 MOSFET 器件，具有极低的导通电阻、超低的栅极电荷以及高耐压性能。这款器件非常适合用于各种 AC/DC 电源转换应用，可实现系统小型化和更高效率。
FAIRCHILD FCA47N60F 说明书 FCA47N60F 600V N 通道 MOSFET, FRFET 是一种高性能新型高压 MOSFET, 具有卓越的低电阻和低门极电荷性能，适用于各种 AC/DC 电源转换应用。
FAIRCHILD FCA76N60N 说明书 FCA76N60N N-Channel MOSFET，是fairchild推出的，采用了深沟填充工艺的新一代高压超级结MOSFET。该产品具有RDS(on) = 28mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 38A，Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 218nC)，Low Effective Output Capacitance，100% Avalanche Tested，RoHS Compliant等特点。
FAIRCHILD FCB11N60 说明书 该文档介绍了Fairchild公司生产的FCB11N60 600V N-Channel MOSFET的特点和特性，包括650V的电压、0.32Ω的RDS(on)、40nC的超低门电荷和95pF的低有效输出电容等。
FAIRCHILD FCB20N60 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation推出的FCB20N60 600V N-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括650V的耐压能力，0.15Ω的导通电阻，低门电荷和低输出电容等。
