FAIRCHILD FDMS7660AS 说明书 FDMS7660AS N-Channel PowerTrench® SyncFETTM 是一款低 rDS(on) 和高效率的 MOSFET，适用于 DC/DC 转换器、笔记本电脑 Vcore 和 GPU 低侧开关、网络点负载低侧开关和电信次级侧整流等应用。
FAIRCHILD FDMS7660 说明书 该文件介绍了FDMS7660 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、先进的封装和硅材料组合、下一代增强型体二极管技术等。
FAIRCHILD FDMS7658AS 说明书 FDMS7658AS N通道PowerTrench 同步FET是一种用于电源转换应用的低阻抗开关器件。它结合了先进的硅和封装技术，可提供最低的rDS(on)，同时保持出色的开关性能。该器件具有高效的单片式肖特基体二极管的附加优势。
FAIRCHILD FDMS7656AS 说明书 FDMS7656AS N-Channel PowerTrench® SyncFET™是一款低功耗、高效率的MOSFET器件，具有优异的开关性能。该器件采用先进的硅和封装技术，具有极低的rDS(on)，可在DC/DC转换器、笔记本电脑Vcore/GPU低侧开关、网络PoL低侧开关以及电信次级侧整流等应用中使用。
FAIRCHILD FDMS7650 说明书 FDMS7650 N-Channel PowerTrench® MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款30 V，100 A，0.99 mΩ的N沟道MOSFET，具有高效率和低rDS(on)，适用于DC/DC转换器、OringFET和同步整流器等应用。
FAIRCHILD FDMS7620S 说明书 FDMS7620S是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款N沟道双通道功率晶体管，额定电压为30V，最大电流为10.1A，最大导通电阻为20.0mΩ。
FAIRCHILD FDMS7608S 说明书 FDMS7608S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款双N沟道功率晶体管，其最大漏源电压为30V，最大漏源电流为22A，最大导通电阻为10.0mΩ。
FAIRCHILD FDMS7606 说明书 FDMS7606是一款N通道MOSFET，具有30 V、12 A、11.4 mΩ的Q1和30 V、22 A、11.6 mΩ的Q2。它具有低导通电阻、高功率效率、RoHS合规性等特点。
FAIRCHILD FDMS7602S 说明书 FDMS7602S是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款双N通道PowerTrench®MOSFET，额定电压为30V，额定电流为30A，最大漏源电阻为7.5mΩ。
FAIRCHILD FDMS7560S 说明书 该文件介绍了FDMS7560S N-Channel PowerTrench® SyncFETTM的特点，包括最大导通电阻、先进的封装和硅材料组合、同步斯科特基二极管等。
FAIRCHILD FDMS7556S 说明书 FDMS7556S N-Channel Power Trench® SyncFETTM是一款低rDS(on)和高效率的MOSFET。它具有1.2 mΩ的最大rDS(on)和高效的单片Schottky体二极管。它适用于同步降压转换器、笔记本电脑、服务器、电信和高效DC-DC开关模式电源。
FAIRCHILD FDMS6681Z 说明书 该文件介绍了2009年5月发布的FDMS6681Z P-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大电阻、高ESD保护等。
FAIRCHILD FDMS6673BZ 说明书 The FDMS6673BZ P-Channel PowerTrench® MOSFET is a high-performance device designed for use in load switch applications. It features an advanced package and silicon combination for low rDS(on), and an HBM ESD protection level of 8 kV typical.
FAIRCHILD FDMS5672 说明书 该文件介绍了FDMS5672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET产品的特点和特性，包括最大rDS(on)、最大Qg、低Miller电荷和在高频率下的优化效率。
FAIRCHILD FDMS3686S 说明书 FDMS3686S PowerTrench® Power Stage是一款双向N通道MOSFET，具有低RDS(on)、低封装电感和优化的布局，可提供更高的功率效率。
FAIRCHILD FDMS3672 N-Channel UltraFET Trench® MOSFET 说明书 FDMS3672 N-Channel UltraFET Trench MOSFET，最大RDS(on)为23mΩ，最大ID为22A，典型Qg为31nC。该产品适用于高频DC-DC转换器应用。
FAIRCHILD FDMS3668S 说明书 FDMS3668S是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款双N通道MOSFET，其特点是低压降和低导通电阻，适用于计算机、通信、通用用途点负载和笔记本电脑等应用。
FAIRCHILD FDN361BN 说明书 FDN361BN 是一种 30V N 通道逻辑级 PowerTrench MOSFET，其开关速度快，线损低。适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡等低压应用。
