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更新: 28 September, 2023
FDMC15N06是一款N沟道MOSFET功率器件，具有55V的漏极到源极电压、15A的漏极电流和0.090Ω的导通电阻。该器件采用了先进的UItraFET工艺，具有最低的单位硅面积导通电阻，性能优异。它能够承受高能量的雪崩模式，且二极管具有非常低的反向恢复时间和储存电荷。适用于功率效率重要的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。
文件格式: PDF
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MD5: 0AC944A9FB8A8BD8D796BF8177693F20
发布时间: 11 July, 2012
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