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更新: 30 September, 2023
FCA76N60N N-Channel MOSFET，是fairchild推出的，采用了深沟填充工艺的新一代高压超级结MOSFET。该产品具有RDS(on) = 28mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 38A，Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 218nC)，Low Effective Output Capacitance，100% Avalanche Tested，RoHS Compliant等特点。
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MD5: C597BFF7D4338BA7A1A4FAC212CDE0D3
发布时间: 11 July, 2012
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