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更新: 30 September, 2023
FCD9N60NTM N-Channel MOSFET 600V, 9A, 0.385mΩ 是一款由 Fairchild Semiconductor Corporation 推出的 MOSFET 产品，该产品采用深沟填充工艺，具有 RDS(on) = 0.330Ω ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 4.5A、超低栅极电荷 (Typ.Qg = 17.8nC)、低有效输出电容等特点，符合 RoHS 标准。
文件格式: PDF
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MD5: D93E411F2C7E550F7A6AE0E156F380A6
发布时间: 11 July, 2012
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连接: FAIRCHILD FCD9N60NTM 说明书 PDF