MOTOROLA MMSF3P02HD 数据手册(1)

更新: 29 September, 2023

Motorola TMOS Power MOSFET Transistor设备数据中介绍了一系列中功率表面贴装产品的特点和特性。这些产品采用Motorola的High Cell Density HDTMOS工艺，具有超低RDS(on)和真正的逻辑电平性能。它们能够承受avalanche和commutation模式下的高能量，并且漏极到源极二极管具有非常低的反向恢复时间。MiniMOS设备设计用于低电压、高速开关应用中，重视功率效率。典型应用包括直流-直流转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、手机和无绳电话。它们还可以用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低电压电机控制。文档中还详细介绍了产品的特点和性能。

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发布时间: 11 July, 2012

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