FAIRCHILD FDC6304P 说明书 该文件介绍了1997年7月生产的FDC6304P数字FET双P通道晶体管的特点和绝对最大额定值，包括电压、电流、功耗、温度等参数。该产品采用了高密度DMOS工艺，具有低电压驱动、低导通电阻、ESD抗干扰等特点，适用于笔记本电脑和手机等电池供电应用。
FAIRCHILD FDC6305N 说明书 FDC6305N是Fairchild Semiconductor的双N通道2.5V指定PowerTrench MOSFET，具有低门极电荷、高开关速度和极低的RDS(ON)。
FAIRCHILD FDC6306P 说明书 fdc6306p是fairchild semiconductor公司生产的一款p通道2.5v指定mosfet，采用了fairchild semiconductor的先进的powertrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于负载开关、电池保护和电源管理等应用。
FAIRCHILD FDC6310P 说明书 FDC6310P是Fairchild Semiconductor Corporation生产的双P通道2.5V规格PowerTrench MOSFET，其特点是低导通电阻和低栅极电荷，适用于负载开关、电池保护和电源管理等应用。
FAIRCHILD FDC6312P 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司生产的FDC6312P双P通道1.8V指定MOSFET。该产品采用Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺生产，旨在最小化导通电阻，同时保持低栅极电荷以实现卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDC6318P 说明书 这份文件介绍了Fairchild Semiconductor公司的FDC6318P双路P通道1.8V PowerTrench MOSFET。该产品采用先进的PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷，从而实现了卓越的开关性能。
FAIRCHILD FDC6320C 说明书 该文件介绍了1997年10月发布的FDC6320C双N&P通道数字场效应晶体管的特点和特性，包括工作电压、最大功率、温度范围等参数。该产品具有低电平门极驱动需求，可以直接在3V电路中操作。适用于替代双极数字晶体管的低压应用。
Allegro ATS651LSH 说明书 ATS651LSH是Allegro MicroSystems, Inc.生产的一种两线自校准差分速度和方向传感器，带有抗振特性。该传感器具有集成的霍尔效应传感器和磁铁，可为速度和方向传感应用提供易于使用的解决方案。
FAIRCHILD FCP380N60E / FCPF380N60E 说明书 FCP380N60E / FCPF380N60E是Fairchild Semiconductor Corporation的600V N沟道MOSFET，其最大额定值为600V，最大关断电阻为380mΩ，具有超低栅极电荷和低有效输出电容。
FAIRCHILD FCP7N60/FCPF7N60/FCPF7N60YD 说明书 FCP7N60/FCPF7N60/FCPF7N60YDTU是Fairchild公司推出的新一代高压MOSFET产品系列，具有低导通电阻、低门电荷等特点，适用于各种AC/DC功率转换和开关模式操作。
FAIRCHILD FCP9N60N / FCPF9N60NT 说明书 FCP9N60N / FCPF9N60NT N-Channel MOSFET是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款高压超结MOSFET，采用深沟填充工艺，具有0.33Ω（典型值）@ VGS = 10V，ID = 4.5A的低RDS（on），低门极电荷（典型值Qg = 22nC），低有效输出电容，100％雪崩测试，符合RoHS标准
