FAIRCHILD FDC6561AN 说明书 这份文档介绍了1999年4月发布的FDC6561AN双N沟道逻辑电平PowerTrenchTM MOSFET。该产品具有2.5A、30V的电流和电压特性，采用了Fairchild Semiconductor的先进PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低门电荷，以实现卓越的开关性能。该产品适用于小尺寸设备，特别适用于电池供电系统中的低成本DC/DC转换。
FAIRCHILD FDC658P 说明书 FDC658P是Fairchild Semiconductor生产的P通道逻辑级MOSFET，具有极低的RDS(ON)和低栅极电荷，适用于笔记本电脑应用，如负载开关和电源管理、电池充电电路和DC/DC转换。
FAIRCHILD FDC855N 说明书 FDC855N是Fairchild Semiconductor生产的N通道逻辑级MOSFET，具有30V、6.1A、27mΩ的特点，适用于低压和电池供电的应用场合。
FAIRCHILD FDC8601 说明书 FDC8601是Fairchild Semiconductor公司生产的一款N通道功率MOSFET，具有极低的rDS(on)、高功率和电流处理能力，广泛应用于负载开关、同步整流器和主开关等电路。
FAIRCHILD FDC8602 说明书 FDC8602是Fairchild Semiconductor生产的一款双N通道PowerTrench MOSFET，具有极低的RDS(on)，高功率和电流处理能力，适用于负载开关和同步整流应用。
FAIRCHILD FDC86244 说明书 FDC86244 N 通道 Power Trench® MOSFET 是一款高性能功率 MOSFET ，具有极低的 rDS(on) ，可实现高速切换，适用于负载开关、同步整流器和主开关等应用
FAIRCHILD FDC8878 N-Channel PowerTrench? MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDC8878 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、快速开关速度等。
FAIRCHILD FDC8884 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDC8884 N-Channel Power Trench® MOSFET的特点和特性，包括最大导通电阻、快速开关速度等。
FAIRCHILD FDC8886 N-Channel Power Trench? MOSFET 数据手册 FDC8886是Fairchild Semiconductor生产的一种高性能N沟道功率MOSFET，其最大导通电阻为23mΩ，可实现快速开关速度。
FAIRCHILD FDD050N03B N-Channel PowerTrench78 MOSFET 数据手册 该文档介绍了FDD050N03B N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、快速开关速度、低栅电荷、高功率和电流处理能力等。
FAIRCHILD FDD10AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 50A, 10.5mOhm 数据手册 该文件介绍了FDD10AN06A0 N-沟道功率MOSFET的特点和特性，包括其电阻、电荷和耐压等参数。
FAIRCHILD FDD10N20LZ N-Channel MOSFET 数据手册 FDD10N20LZ是Fairchild公司生产的一款N沟道MOSFET，其最大电压为200V，最大电流为7.6A。该产品具有低RDS(on)、低门控电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力和RoHS合规性等特点。
