FAIRCHILD FDP6670AL/FDB6670AL 说明书 这是一份关于FDP6670AL/FDB6670AL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET的文件。该产品是为了提高直流/直流转换器的效率而设计的，可用于同步或传统开关PWM控制器。该MOSFET具有更快的开关速度和较低的栅极电荷，比其他具有相似RDS(ON)规格的MOSFET更容易和安全驱动（即使在非常高的频率下），并且具有更高的整体效率。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化。
FAIRCHILD FDP7030BL/FDB7030BL 说明书 这是一份关于FDP7030BL/FDB7030BL N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET的文件。该产品针对使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器，旨在提高整体效率。该MOSFET具有更快的开关速度和较低的栅极电荷，相比具有相似RDS(ON)规格的其他MOSFET，更容易且更安全地驱动（即使在非常高的频率下），并且具有更高的整体效率。它经过优化，具有低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度。
FAIRCHILD FDP8030L/FDB8030L 说明书 该数据手册详细介绍了FDP8030L/FDB8030L N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET 的特点特性。
FAIRCHILD FDB8443 说明书 FDB8443 N-Channel PowerTrench® MOSFET是一款40V，182A，3.0mΩ的功率MOSFET，具有低Miller Charge、低Qrr Body Diode、UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)等特点。
FAIRCHILD FDB86102LZ 说明书 FDB86102LZ是一款N-沟道PowerTrench® MOSFET，具有100V的漏极到源极电压，30A的漏极电流和24mΩ的最大导通电阻。它具有快速的开关速度和非常低的总电荷和栅极-漏极总电荷，适用于DC-DC转换、逆变器和同步整流器等应用。
FAIRCHILD FDB86135 说明书 FDB86135 N-Channel PowerTrench MOSFET是一款高性能的N沟道MOSFET，它具有快速的开关速度、低的门极电荷、非常低的RDS(on)和高功率和电流处理能力。
FAIRCHILD FDB8860 说明书 FDB8860 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET是一款低RDS(ON)，低Qg(5)的N通道逻辑电平功率MOSFET，具有UIS能力，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDP8880/FDB8880 说明书 FDP8880 / FDB8880是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道MOSFET，其特点是高性能沟槽技术，能够实现极低的rDS(ON)，低栅极电荷，高功率和电流处理能力，符合RoHS标准。
FAIRCHILD FDB8896 说明书 该文件介绍了FDB8896 N-Channel PowerTrench® MOSFET的特点和特性，该产品专为提高同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它经过了低门电荷、低rDS(ON)和快速开关速度的优化。
